Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Бобыль А.В.
Бобыль А.В.
IstinaResearcherID (IRID): 11232596
Статьи в журналах Тезисы докладов
–

Статьи в журналах

    • 2015 Исследование размеров в доменно-кластерной структуре GaN/SiC и пористого SiC – материалов для полупроводниковых лазеров
    • Шарков М.Д., Бойко М.Е., Бобыль А.В., Бойко А.М., Конников С.Г.
    • в журнале XII Российская конференция по физике полупроводников («Полупроводники-2015»). Тезисы докладов, с. 392 DOI

Тезисы докладов

    • 2018 Положительный электрод для малогабаритных литиевых аккумуляторов на основе слоёв оксидов ванадия
    • Теруков Е.И., Никитин С.Е., Бобыль А.В., Скундин А.М.
    • в сборнике Book of Abstracts of XV International Conference “Topical Problems of Energy Conversion in Lithium Electrochemical Systems” St.-Petersburg, September 17‒20, тезисы, с. 218-220

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь