Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Friguet Bertrand
Friguet Bertrand
IstinaResearcherID (IRID): 114953152
–

Статьи в журналах

    • 2011 SiGe and Ge on Insulator Wafers
    • Daval Nicolas, Figuet Christophe, Aulnette Cécile, Landru Didier, Drazek Charlotte, Bourdelle Konstantin K., Guiot Eric, Letertre Fabrice, Nguyen Bich-Yen, Mazure Carlos
    • в журнале ECS Transactions, издательство Electrochemical Society, Inc. (United States), том 35, № 5, с. 29-38 DOI
    • 2010 Regulation of Selenoproteins and Methionine Sulfoxide Reductases A and B1 by Age, Calorie Restriction, and Dietary Selenium in Mice
    • Novoselov Sergey V., Kim Hwa-Young, Hua Deame, Lee Byung Cheon, Astle Clinton M., Harrison David E., Friguet Bertrand, Moustafa Mohamed E., Carlson Bradley A., Hatfield Dolph L., Gladyshev Vadim N.
    • в журнале Antioxidants and Redox Signaling, издательство Mary Ann Liebert Inc. (United States), том 12, № 7, с. 829-838 DOI
    • 2006 Fabrication of Directly Bonded Si Substrates with Hybrid Crystal Orientation for Advanced Bulk CMOS Technology
    • Bourdelle Konstantin, Rayssac Olivier, Lambert Audrey, Fournel Frank, Hebras Xavier, Allibert Frédéric, Figuet Christophe, Boussagol Alice, Berne Cécile, Tsyganenko Kira, Letertre Fabrice, Mazuré Carlos
    • в журнале ECS Transactions, издательство Electrochemical Society, Inc. (United States), том 3, № 4, с. 409-415 DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь