–
Статьи в журналах
-
- 2019 Influence of the Charge State of Xenon Ions on the Depth Distribution Profile Upon Implantation into Silicon
- Balakshin Yu V., Kozhemiako A.V., Petrovic S., Erich M., Shemukhin A.A., Chernysh V.S.
- в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 8, с. 1011-1017 DOI
-
- 2019 Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний
- Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Petrovic S., Erich M., Шемухин А.А., Черныш В.С.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 53, № 8, с. 1030-1036 DOI