Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Chanson Romain
Chanson Romain
IstinaResearcherID (IRID): 127924537
Статьи в журналах Тезисы докладов
–

Статьи в журналах

    • 2018 Low-k protection from F radicals and VUV photons by multilayer pore grafting approach
    • Zotovich Alexey, Rezvanov Askar, Chanson Romain, Zhang Lin, Hacker Nigel, Kurchikov Konstantin Alekseevich, Klimin Sergey, Zyryanov S.M., Lopaev D., Gornev Evgeny, Clemente Iosif, Miakonkikh Andrew, Maslakov K.I.
    • в журнале Journal of Physics D - Applied Physics, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 51, № 32, с. 325202 DOI

Тезисы докладов

    • 2018 Gas Phase Pore Stuffing for Damage Mitigation during Plasma Etching
    • Yamaguchi T., Nozawa S., Fujikawa M., Marneffe J.F de, Chanson R., Gavan K.B., Rezvanov A., Lazzarino Fr
    • в сборнике Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials, издательство Japan Soc of Applied Physics (Japan), тезисы DOI
    • 2018 Gas Phase Pore Stuffing for the protection of organo-silicate glass dielectric materials
    • Fujikawa M., Sato N., de Marneffe J.F., Chanson R., Gavan K.Babaei, Rezvanov A., Lazzarino F., Tokei Z., Yamaguchi T., Nozawa S.
    • в сборнике 2018 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), место издания IEEE, тезисы DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь