Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Sosnovskikh Y.N.
Sosnovskikh Y.N.
IstinaResearcherID (IRID): 1342461
–

Статьи в журналах

    • 1998 Investigation of laser-induced defect formation in CdTe crystals by Rutherford backscattering
    • Golovan L.A., Kashkarov P.K., Sosnovskikh Y.N., Timoshenko V.Y., Chechenin N.G., Lakeenkov V.M.
    • в журнале Physics of the Solid State, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 40, № 2, с. 187-189 DOI
    • 1988 STUDIES OF LASER-INDUCED DEFECT FORMATION IN CDTE CRYSTALS BY RUTHERFORD BACKSCATTERING
    • Golovan L.A., Kashkarov P.K., Lakeyenkov V.M., Sosnovskikh Yu N., Timoshenko V.Yu, Chechenin N.G.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 40, № 2, с. 209-209
    • 1987 Investigation of properties of the gallium-phosphide insulator interface
    • Kashkarov P.K., Nevzorov A.N., Sorokin I.N., Sosnovskikh Y.N., Syagailo A.I.
    • в журнале SOVIET ELECTROCHEMISTRY, том 23, № 2, с. 232-234
    • 1985 Preparation and properties of oxide-films on the surface of gap
    • Kashkarov P.K., Obraztsov A.N., Sorokin I.N., Sosnovskikh Y.N., Syagailo A.I.
    • в журнале Soviet Microelectronics, том 14, № 1, с. 27-30

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь