ИСТИНА

VARAVIN VS

Соавторы: Dvoretsky S.A., Иконников А.В., Михайлов Н.Н., Kozlov D.V., Уаман Светикова Т.А., Якушев М.В., Rumyantsev V.V., Gavrilenko V.I., Галеева А.В., Дзядух С.М., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Войцеховский А.В. показать полностью..., Морозов С.В., Черничкин В.И., Румянцев В.В., DVORETSKII S., Kadykov A.M., Morozov S.V., Sotnichuk M., Voitsekhovskii A.V., Гаськов А.М., Зломанов В.П.

8 статей, 5 докладов на конференциях, 5 тезисов докладов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 1, Scopus: 1

IstinaResearcherID (IRID): 1857690

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 2023 Photoconductivity spectroscopy of arsenic-related acceptors in HgCdTe
    • Ikonnikov Anton, Rumyantsev Vladimir, Sotnichuk Mikhail, Mikhailov Nikolay, Dvoretsky Sergey, Varavin Vasily, Yakushev Maxim, Morozov Sergey, Gavrilenko Vladimir
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 38, № 8, с. 085003 DOI
  • 
    • 2021 Investigation of the differential resistance of mis structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers
    • Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A., Kulchitskii N.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Y.
    • в журнале Journal of Communications Technology and Electronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 66, № 3, с. 337-339
  • 
    • 2019 Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature
    • Uaman Svetikova T.A., Ikonnikov A.V., Rumyantsev V.V., Kozlov D.V., Chernichkin V.I., Galeeva A.V., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Morozov S.V., Gavrilenko V.I.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 9, с. 1266-1271 DOI
  • • 2019 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), том 1, с. 46-50
  • • 2019 Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
    • Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Черничкин В.И., Галеева А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 53, № 9, с. 1297-1302 DOI
  • 
    • 1987 JUNCTION LAYERS AND PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF THE HETEROSTRUCTURES N-PBSE0.08TE0.92-P-PB0.8SN0.2TE-P-PBSE0.08TE0.92
    • VARAVIN VS, GASKOV AM, DVORETSKII SA, ZLOMANOV VP, KUZNETSOV VL, SIDOROV YG
    • в журнале Inorganic Materials, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 23, № 1, с. 27-30

• Статьи в сборниках

  • • 2018 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.
    • в сборнике Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания ГНЦ РФ АО «НПО «Орион» Москва, том 2, с. 401-405
  • • 2018 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.
    • в сборнике Труды XXV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания ГНЦ РФ АО «НПО «Орион» Москва, том 2, с. 398-401

• Доклады на конференциях

  • • 2021 Температурная зависимость примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок CdHgTe: роль флуктуаций потенциала (Стендовый)
    • Авторы: Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
    • XXV Международный симпозиум «Нанофизика и Наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 9-12 марта 2021
  • • 2020 Спектры примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок и гетероструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe (Стендовый)
    • Авторы: Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
    • XXIV международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, Россия, 10-13 марта 2020
  • • 2020 Примесная фотопроводимость квантовых ям на основе CdHgTe при различных температурах (Стендовый)
    • Авторы: Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Варавин В.С., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
    • XXIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020), Екатеринбург-Алапаевск, Россия, 17-22 февраля 2020
  • • 2019 Влияние отжига на транспортные и оптические свойства узкощелевых твердых растворов CdHgTe (Стендовый)
    • Авторы: Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Черничкин В.И., Гавриленко В.И., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Галеева А.В.
    • XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск, г. Новосибирск, Россия, 9-13 сентября 2019
  • • 2019 Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры (Стендовый)
    • Авторы: Румянцев В.В., Козлов Д.В., Галеева А.В., Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Гавриленко В.И., Варавин В.С., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Кадыков А.М.
    • XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и Наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 11-14 марта 2019

• Тезисы докладов

  • • 2021 Температурная зависимость примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок CdHgTe: роль флуктуаций потенциала
    • Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
    • в сборнике Материалы XXV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 9–12 марта 2021 г, место издания Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского г. Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 883-884
  • • 2020 Примесная фотопроводимость квантовых ям на основе CdHgTe при различных температурах
    • Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Варавин В.С., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
    • в сборнике Тезисы докладов XXIII Уральской международной зимней школы по физике полупроводников, издательство Издательство Уральского университета (Екатеринбург), тезисы, с. 94-95
  • • 2020 Спектры примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок и гетероструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe
    • Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
    • в сборнике XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-13 марта, 2020, труды симпозиума, том 2, тезисы, с. 758-759
  • • 2019 Влияние отжига на транспортные и оптические свойства узкощелевых твердых растворов CdHgTe
    • Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Черничкин В.И., Галеева А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И.
    • в сборнике Тезисы докладов. XIV Российская крнференция по физике полупроводников. Новосибирск, 9 – 13 сентября 2019 г, место издания Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН Новосибирск, том 2, тезисы, с. 338
  • • 2019 Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
    • Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Галеева А.В., Кадыков А.М., Варавин В.С., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И.
    • в сборнике Труды XXIII Международного симпозиума Нанофизика и Наноэлектроника, место издания Издательство Нижегородского гос. университета им. Н.И. Лобачевского Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 845