Callsen G.
Количество цитирований статей в журналах по данным
Web of Science: 10,
Scopus: 4
IstinaResearcherID (IRID): 23870174
Деятельность
-
Статьи в журналах
-
-
2017
CARBON DOPED GAN LAYERS GROWN BY PSEUDO-HALIDE VAPOUR PHASE EPITAXY
-
Siche D.,
Zwierz R.,
Kachel K.,
Bickermann M.,
Jankowski N.,
Nenstiel C.,
Callsen G.,
Hoffmann A.
-
в журнале Crystal Research and Technology, издательство Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co. (Germany), том 52, № 8, с. 1600364-1600364
-
-
2017
CARBON DOPED GAN LAYERS GROWN BY PSEUDO-HALIDE VAPOUR PHASE EPITAXY
-
Siche D.,
Zwierz R.,
Kachel K.,
Bickermann M.,
Jankowski N.,
Nenstiel C.,
Callsen G.,
Hoffmann A.
-
в журнале Crystal Research and Technology, издательство Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co. (Germany), том 52, № 8, с. 1600364-1600364
-
-
2017
CARBON DOPED GAN LAYERS GROWN BY PSEUDO-HALIDE VAPOUR PHASE EPITAXY
-
Siche D.,
Zwierz R.,
Kachel K.,
Bickermann M.,
Jankowski N.,
Nenstiel C.,
Callsen G.,
Hoffmann A.
-
в журнале Crystal Research and Technology, издательство Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co. (Germany), том 52, № 8, с. 1600364-1600364
-
-
2016
Unintentional indium incorporation into barriers of InGaN/GaN multiple quantum wells studied by photoreflectance and photoluminescence excitation spectroscopy
-
Freytag S.,
Feneberg M.,
Berger C.,
Bläsing J.,
Dadgar A.,
Callsen G.,
Nippert F.,
Hoffmann A.,
Bokov P.Yu,
Goldhahn R.
-
в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 120, № 1, с. 015703
DOI