Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Кочнев В.И.
Кочнев В.И.
IstinaResearcherID (IRID): 3447597
–

Статьи в журналах

    • 2013 Photoconductivity of composite structures based on porous SnO2 sensitized with CdSe nanocrystals
    • Drozdov K.A., Kochnev V.I., Dobrovolsky A.A., Vasiliev R.B., Babynina A.V., Rumyantseva M.N., Gaskov A.M., Ryabova L.I., Khokhlov D.R.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 3, с. 383-386 DOI
    • 2013 Photoconductivity of structures based on the SnO2 porous matrix coupled with core-shell CdSe/CdS quantum dots
    • Drozdov K.A., Kochnev V.I., Dobrovolsky A.A., Popelo A.V., Rumyantseva M.N., Gaskov A.M., Ryabova L.I., Khokhlov D.R., Vasiliev R.B.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство AIP Publishing (United States), том 103, № 13, с. 133115 DOI
    • 2013 Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO2, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe
    • Дроздов К.А., Кочнев В.И., Добровольский А.А., Васильев Р.Б., Бабынина А.В., Румянцева М.Н., Гаськов А.М., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 47, № 3, с. 360-363 DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь