ИСТИНА

Мальцев П.П.

Соавторы: Galiev G.B., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Пушкарев С.С., Юзеева Н.А., Klochkov A., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Ганин Г.В. показать полностью..., Грехов М.С., Имамов Р.М., Китаева Г.Х., Клечковская В.В., Коленцова О.С., Корниенко В.В., Кузнецов К.А., Пономарев Д.С., Пушкарёв Г.И., Хабибуллин Р.А., Червяков А.В.

5 статей

IstinaResearcherID (IRID): 3684624

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 2017 Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных плёнках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411)А
    • Галиев Г.Б., Грехов М.М., Китаева Г.Х., Климов Е.А., Клочков А.Н., Коленцова О.С., Корниенко В.В., Кузнецов К.А., Мальцев П.П., Пушкарёв С.С.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 51, № 3, с. 322-330 DOI
  • • 2016 Диагностика многослойных наноматериалов методами рентгеновской и электронной кристаллографии
    • Имамов Р.М., Клечковская В.В., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Ганин Г.В., Мальцев П.П.
    • в журнале Заводская лаборатория. Диагностика материалов, издательство ТЕСТ-ЗЛ (М.), том 82, № 9, с. 31-42
  • • 2015 Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах n0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24 As/In0.70Al0.30As на подложках GaAs
    • Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С., Мальцев П.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 49, № 7, с. 942-950
  • • 2015 Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1-xAs со вставками InAs
    • Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 49, № 2, с. 204-213
  • • 2013 Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    • Хабибуллин Р.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Мальцев П.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 47, № 9, с. 1215-1220