Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Lützenkirchen-Hecht D.
Lützenkirchen-Hecht D.
IstinaResearcherID (IRID): 37577757
Статьи в журналах Статьи в сборниках
–

Статьи в журналах

    • 2019 A Comparative Study of Field Emission From Pristine, Ion-Treated and Tungsten Nanoparticle-Decorated p-Type Silicon Tips
    • Kleshch V.I., Serbun P., Lützenkirchen-Hecht D., Orekhov A.S., Ivanov V.E., Prommesberger C., Langer C., Schreiner R., Obraztsov A.N.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), с. 1800646-1-1800646-6 DOI

Статьи в сборниках

    • 2018 Evidence for single-electron tunneling in electron energy spectra of diamond tip field emitter
    • Kleshch V.I., Obraztsov A.N., Porshyn V., Lutzenkirchen-Hecht D.
    • в сборнике 31st International Vacuum Nanoelectronics Conference, место издания Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc, с. 170-171 DOI
    • 2016 Coulomb blockade modulated current-voltage characteristic of a diamond field emitter
    • Mingels S., Porshyn V., Lützenkirchen-Hecht D., Müller G., Kleshch V.I., Obraztsov A.N.
    • в сборнике 2016 29th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC), с. 1-2 DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь