Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Сонг-Ионг-Вон
Сонг-Ионг-Вон
IstinaResearcherID (IRID): 3853058
–

Статьи в журналах

    • 1999 Количественная модель ионно-стимулированной кристаллизации кремния
    • Похил Г.П., Сонг-Ионг-Вон
    • в журнале Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, издательство ФГБУ "Издательство "Наука" (Москва), № 9, с. 53-57

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь