ИСТИНА

Khabibullin R.A.

Соавторы: Васильевский И.С., Пономарев Д.С., Кульбачинский В.А., Galiev G.B., Климов Е.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Глазков В.П., Иконников А.В. показать полностью..., Лунин Р.А., Червяков А.В., Cirlin G.E., Galiev G.B., Galiev R.R., Gromov D.V., Klimov E.A., Klochkov A., Maltsev P.P., Marem’yanin K.V., Reznik R.R., Shchavruk N.V., Zhukov A.E., Алферов Ж.И., Белов Д.А., Климов Е.А., Климов Е.А., Клочков А., Пушкарев С.С., Хохлов Д.Р.

10 статей, 1 тезисы доклада

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 77, Scopus: 101

IstinaResearcherID (IRID): 438694

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2017 Terahertz radiation generation in multilayer quantum-cascade heterostructures
    • Ikonnikov A.V., Marem’yanin K.V., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Pavlov A.Yu, Shchavruk N.V., Khabibullin R.A., Reznik R.R., Cirlin G.E., Zubov F.I., Zhukov A.E., Alferov Zh I.
    • в журнале Technical Physics Letters, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 43, № 4, с. 362-365 DOI
  • 
    • 2015 Quantum and Transport Scattering Times in AlGaAs/InGaAs nanoheterostructures With AlAs Inserts in The Spacer Layer
    • Galiev G.B., Vasil’evskii I.S., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Gromov D.V., Maltsev P.P.
    • в журнале Lithuanian Journal of Physics, издательство Lithuanian Physical Society (Lithuania), том 55, № 4, с. 249-254
  • 
    • 2013 Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths
    • Khabibullin RA, Galiev GB, Klimov EA, Ponomarev DS, Vasil'evskii IS, Kulbachinskii VA, Bokov PY, AVAKYANTS L., Chervyakov AV
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 9, с. 1203-1208 DOI
  • 
    • 2012 Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil’evskii I.S., Khabibullin R.A., Ponomarev D.S.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 27, с. 035021-1-035021-5
  • 
    • 2012 Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts
    • Ponomarev D.S., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 46, № 4, с. 484-490 DOI
  • 
    • 2012 The built-in electric field in P-HEMT heterostructures with near-surface quantum wells Al xGa 1-xAs/In yGa 1-yAs/GaAs
    • Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Ponomarev D.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Avakyanz L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 345, № 1, с. 012015 DOI
  • 
    • 2011 Effect of the Built-in Electric Field on Optical and Electrical Properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT Nanoheterostructures
    • Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Gladkov V.P., Kulbachinskii V.A., Klochkov A.N., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 5, с. 657-662
  • 
    • 2011 Scattering and electron mobility in combination-doped HFET-structures AlGaAs/InGaAs/AlGaAs with high electron density
    • Khabibullin R.A., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 10, с. 1321-1326 DOI
  • • 2011 Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства Р-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский, Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 45, № 5, с. 666-671
  • • 2011 Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 45, № 10, с. 1373-1378

• Тезисы докладов

  • • 2023 Frequency tuning in terahertz quantum cascade lasers induced by current and temperature
    • Belov D.A., Ikonnikov A.V., Pushkarev S.S., Galiev R.R., Ponomarev D.S., Khokhlov D.R., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Khabibullin R.A.
    • в сборнике 5th International Conference “Terahertz and Microwave Generation, Detection and Applications, Moscow, Russia, February, 27 – March, 2, 2023, место издания Moscow, Russia, тезисы, с. 113-113