Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Kruglov A.V.
Kruglov A.V.
IstinaResearcherID (IRID): 47212443
–

Статьи в сборниках

    • 2005 Transport and anomalous Hall effect in p-type GaAs<Mn,Mg> layers fabricated by ion implantation
    • Kulbachinskii V.A., Gurin P.S., Lunin R.A., Danilov Yu A., Kruglov A.V., Malysheva E.I.
    • в сборнике 13th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 20-25, 2005, Proceedings, место издания Ioffe Institute St. Petersburg, Russia, с. 193-194

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь