Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Руденко Константин Васильевич
Соавторы:
Мяконьких А.В.
,
Татаринцев А.А.
,
Орликовский Н.А.
,
Рогожин А.Е.
,
Gornev E.S.
,
Kireev V.Y.
,
Kuzmenko V.O.
,
Myakon'kikh A.V.
,
Дедкова А.А.
,
Дюжев Н.А.
,
Шишлянников А.В.
5 статей
,
1 доклад на конференции
,
1 тезисы доклада
,
1 НИР
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 0, Scopus: 2
IstinaResearcherID (IRID): 47835290
Деятельность
Статьи в журналах
2018
Investigation of the Process of Open Plasma-Chemical Etching of HkMG Stack Nanoscale Transistor with a 32-nm Critical Dimension
Myakonkikh A.V.
, Kuvaev K.Yu,
Tatarintsev A.A.
,
Orlikovskii N.A.
,
Rudenko K.V.
, Guschin O.P., Gornev E.S.
в журнале
Russian Microelectronics
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 47, № 5, с. 325-333
DOI
2018
Study of the Effect of Laser Radiation on the Parameters of Alumina Films Formed by Atomic Layer Deposition
Dedkova A.A.
,
Dyuzhev N.A.
,
Kireev V.Yu
, Klemente I.E.,
Myakon'kikh A.V.
,
Rudenko K.V.
в журнале
Nanotechnologies in Russia
, том 13, № 9-10, с. 502-507
DOI
2018
Зависимость стойкости негативного электронного резиста HSQ от дозы облучения в процессе плазмохимического и химического травления
Мяконьких А.В.
,
Орликовский Н.А.
,
Рогожин А.Е.
,
Татаринцев А.А.
,
Руденко К.В.
в журнале
Микроэлектроника
, издательство
Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука
(Москва)
, том 47, № 3, с. 179-186
DOI
Статьи в сборниках
2018
Технологии формирования затворного HkMG-стека с MIPS-структурой для МДП-транзистора с критическими размерами 32/28 нм
Мяконьких А.В.
,
Рогожин А.Е.
,
Татаринцев А.А.
,
Руденко К.В.
, Гущин О.П.
в сборнике
Труды ФТИАН
, издательство
Наука
(М.)
, том 28, с. 42-59
2018
Электронная литография и анизотропное плазмохимическое травление кремниевых FIN-структур для FINFET и SiNW транзисторов с размерами 11-22 нм
Мяконьких А.В.
,
Татаринцев А.А.
,
Руденко К.В.
в сборнике
Труды ФТИАН
, издательство
Наука
(М.)
, том 28, с. 59-65
Доклады на конференциях
2021
Investigation of plasma resistance of the HSQ electronic resist for prototyping of nanoelectronic devices
(Устный)
Авторы:
Myakonkikh A.
,
Shishlyannikov A.
,
Tatarintsev A.
,
Kuzmenko V.O.
,
Rudenko K.
,
Gornev E.
ICMNE-2021
, г. Звенигород, РФ, Россия, 4-8 октября 2021
Тезисы докладов
2021
Investigation of plasma resistance of the HSQ electronic resist for prototyping of nanoelectronic devices
Myakonkikh A.
,
Shishlyannikov A.
,
Tatarintsev A.
,
Kuzmenko V.
,
Rudenko K.
,
Gornev E.
в сборнике
Proceedings of International Confernce "Micro- and Nanoelectronics - 2021" (ICMNE-2021): Book of abstracts
, издательство
ООО "МАКС Пресс"
(Москва)
, тезисы, с. O1-07
редакторы
Лукичев Владимир Федорович
,
Руденко Константин Васильевич
НИРы
1 мая 2016 - 31 декабря 2018
Создание источников и приемников терагерцового излучения на основе низкоразмерных пролетных диодов для контроля объектов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук
Руководитель:
Руденко К.В.
Участники НИР:
Вьюрков В.В.
,
Давыдов Ф.С.
,
Мяконьких А.В.
,
Орликовский Н.А.
,
Рогожин А.Е.
,
Руденко К.В.
,
Руденко М.К.
,
Солянкин П.М.