ИСТИНА

Sokolov S.A.

Соавторы: Сафонов В.А., GALUZO S., Gerovich V.M., Kanavets V.I., Александров А.Ф., Кубарев В.А., Черепенин В.А.

3 статьи, 1 доклад на конференции

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 14

IstinaResearcherID (IRID): 522068

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 1991 ELECTRIC DOUBLE-LAYER STRUCTURE AT THE RENEWABLE ALUMINUM ELECTRODE IN DIMETHYL-SULFOXIDE AND DIMETHYLFORMAMIDE SOLUTIONS
    • SAFONOV VA, SOKOLOV SA
    • в журнале SOVIET ELECTROCHEMISTRY, том 27, № 10, с. 1161-1166
  • 
    • 1988 DOUBLE ELECTRICAL LAYER ON ALUMINUM IN GAMMA-BUTIROLACTONE
    • SAFONOV VA, SOKOLOV SA, GEROVICH VM
    • в журнале Doklady Akademii nauk SSSR, издательство Akademiia Nauk Sssr (Russian Federation), том 299, № 6, с. 1438-1442
  • 
    • 1984 RELATIVISTIC SYNCHROTRON GENERATOR BASED ON RESONANT SCATTERING
    • ALEXANDROV AF, GALUZO SY, KANAVETS VI, KUBAREV VA, SOKOLOV SA, CHEREPENIN VA
    • в журнале Radiotekhnika I Elektronika, том 29, № 9, с. 1788-1797

• Доклады на конференциях

  • • 2012 STRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF POROUS SILICON FORMED BY METAL-ASSISTED CHEMICAL ETCHING
    • Авторы: Осминкина Л.А., Гончар К.А., Galkin R.A., Sokolov S.A., Головань Л.А., Тимошенко В.Ю.
    • Porous Semiconductors – Science and Technology, Malaga, Spain, Испания, 2012