ИСТИНА

Пономарев Д.С.

Соавторы: Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Khabibullin R.A., Галиев Г.Б., Хабибуллин Р.А., Юзеева Н.А., Galiev G.B., Klimov E.A., Климов Е.А., Gavrilenko V.I., Goncharov Y.G., Lavruchin D.V., Белов Д.А. показать полностью..., Иконников А.В., Китаева Г.Х., Ковалева П.М., Кузнецов К.А., Кузнецов П.И., Хохлов Д.Р., Galiev R.R., Morozov S.V., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Гладков В.П., Глазков В.П., Климов Е.А., Лунин Р.А., Мишина Е.Д., Тарасенко С.А., Червяков А.В., Burlakov A.V., Chernomyrdin N.V., Gavdush, Gromov D.V., Karasik V.E., Katya S., Klochkov A., Maltsev P.P., Pushkarev S.S., Reshetov I.V., Tuchin V.V., Билык В.Р., Бугаев А.С., Васильев А.Л., Галиев Р.Р., Долганова С.А., Ежов А.А., Ежов А.А., Имамов Р.М., Каргин Н.И., Климов Е.А., Клочков А., Ковальчук М.В., Командин Г.А., Курлов В.Н., Мальцев П.П., Морозов С.В., Пушкарев С.С., Роддатис В.В., Сафроненков Д.А., Скоробогатый М.С., Стриханов М.Н., Субботин И.А., Ходан А.Н., Хусяннов Д.И., Черкасова О.П., Щедрин М.А., Ячменев А.Э.

22 статьи, 5 докладов на конференциях, 5 тезисов докладов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 60, Scopus: 160

IstinaResearcherID (IRID): 532489

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 2022 Topological Insulator Films for Terahertz Photonics
    • Kuznetsov Kirill Andreevich, Tarasenko Sergey A., Kovaleva Polina M., Kuznetsov Petr I., Lavrukhin Denis V., Goncharov Yury G., Ezhov Alexander A., Ponomarev Dmitry S., Kitaeva Galiya Kh
    • в журнале Nanomaterials, издательство MDPI (Basel, Switzerland), том 12, № 21, с. 3779-1-3779-13 DOI
  • 
    • 2021 New Materials and Structures for Efficient Terahertz (THz) Spectroscopy
    • Mishina E.D., Buryakov A.M., Ponomarev D.S.
    • в журнале Journal of Communications Technology and Electronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 66, № 9, с. 1045-1052 DOI
  • 
    • 2020 The progress and perspectives of terahertz technology for diagnosis of neoplasms: A review
    • Zaytsev K.I., Dolganova I.N., Chernomyrdin N.V., Katyba G.M., Gavdush A.A., Cherkasova O.P., Komandin G.A., Shchedrina M.A., Khodan A.N., Ponomarev D.S., Reshetov I.V., Karasik V.E., Skorobogatiy M., Kurlov V.N., Tuchin V.V.
    • в журнале Journal of optics, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 22, № 1, с. 013001-013044 DOI
  • • 2018 Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрегиетках Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.4sAs при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
    • Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Клочков А.Н., Ячменев А.Э., Бугаев А.С., Хусяннов Д.И., Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 52, № 7, с. 723-728
  • 
    • 2015 Quantum and Transport Scattering Times in AlGaAs/InGaAs nanoheterostructures With AlAs Inserts in The Spacer Layer
    • Galiev G.B., Vasil’evskii I.S., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Gromov D.V., Maltsev P.P.
    • в журнале Lithuanian Journal of Physics, издательство Lithuanian Physical Society (Lithuania), том 55, № 4, с. 249-254
  • 
    • 2013 Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths
    • Khabibullin RA, Galiev GB, Klimov EA, Ponomarev DS, Vasil'evskii IS, Kulbachinskii VA, Bokov PY, AVAKYANTS L., Chervyakov AV
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 9, с. 1203-1208 DOI
  • • 2013 Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    • Хабибуллин Р.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Мальцев П.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 47, № 9, с. 1215-1220
  • 
    • 2012 Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil’evskii I.S., Khabibullin R.A., Ponomarev D.S.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 27, с. 035021-1-035021-5
  • 
    • 2012 Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts
    • Ponomarev D.S., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 46, № 4, с. 484-490 DOI
  • • 2012 Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
    • Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Каргин Н.И., Стриханов М.Н.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, № 2, с. 1-6
  • • 2012 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 46, № 4, с. 500-506
  • 
    • 2011 Effect of the Built-in Electric Field on Optical and Electrical Properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT Nanoheterostructures
    • Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Gladkov V.P., Kulbachinskii V.A., Klochkov A.N., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 5, с. 657-662
  • 
    • 2011 Scattering and electron mobility in combination-doped HFET-structures AlGaAs/InGaAs/AlGaAs with high electron density
    • Khabibullin R.A., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 10, с. 1321-1326 DOI
  • • 2011 Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства Р-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский, Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 45, № 5, с. 666-671
  • • 2011 Инженерия волновых функций в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с композитной квантовой ямой, содержащей нановставки InAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галлиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Гладков В.П., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, № 1, с. 89-93
  • • 2011 Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 12, с. 16-19
  • • 2011 Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах Al/GaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 12, с. 21-24
  • • 2011 Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 45, № 10, с. 1373-1378
  • • 2011 Структурные и электрофизические свойства квантовых ям с наноразмерными вставками InAs в гетероструктурах на основе InyAl1-yAs/InxGa1-xAs на подложках InP
    • Васильев А.Л., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Климов Е.А., Ковальчук М.В., Пономарев Д.С., Роддатис В.В., Субботин И.А.
    • в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 56, № 2, с. 324-335

• Статьи в сборниках

  • • 2023 TERAHERTZ ANTENNAS BASED ON Bi2-XSbXTe3-YSeY FILMS
    • Kovaleva P.M., Kuznetsov K.A., Kuznetsov P.I., Safronenkov D.A., Lavrukhin D.V., Goncharov Yu G., Ponomarev D.S., Kitaeva G.Kh
    • в сборнике The 5-th International Conference TERAHERTZ AND MICROWAVE RADIATION: GENERATION, DETECTION AND APPLICATIONS (TERA-2023), серия ABSTRACT BOOK, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), с. 129-129
  • • 2023 TOPOLOGICAL INSULATOR FILMS FOR TERAHERTZ PHOTONICS
    • Kuznetsov K.A., Tarasenko S.A., Kovaleva P.M., Kuznetsov P.I., Lavrukhin D.V., Goncharov Yu G., Ezhov A.A., Ponomarev D.S., Kitaeva G.Kh
    • в сборнике The 5-th International Conference TERAHERTZ AND MICROWAVE RADIATION: GENERATION, DETECTION AND APPLICATIONS (TERA-2023), серия ABSTRACT BOOK, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), с. 130-130
  • • 2022 Temperature dependences of spectral and power characteristics of quantum cascade lasers with frequencies from 2.3 to 4.1 THz
    • Belov D.A., Ikonnikov A.V., Pushkarev S.S., Galiev R.R., Ponomarev D.S., Khokhlov D.R., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Khabibullin R.A.
    • в сборнике 2022 International Conference Laser Optics (ICLO), место издания IEEE DOI

• Доклады на конференциях

  • • 2023 TERAHERTZ ANTENNAS BASED ON Bi2-XSbXTe3-YSeY FILMS (Устный)
    • Авторы: Kovaleva P.M., Kuznetsov K.A., Kuznetsov P.I., Safronenkov D.A., Lavrukhin D.V., Goncharov Yu G., Ponomarev D.S., Kitaeva G.Kh
    • THE 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE "TERAHERTZ AND MICROWAVE RADIATION: GENERATION, DETECTION AND APPLICATIONS" (TERA-2023), Москва, Россия, 27 февраля - 2 марта 2023
  • • 2023 TOPOLOGICAL INSULATOR FILMS FOR TERAHERTZ PHOTONICS (Приглашенный)
    • Авторы: Kuznetsov K.A., Tarasenko S.A., Kovaleva P.M., Kuznetsov P.I., Lavrukhin D.V., Goncharov Yu G., Ezhov A.A., Ponomarev D.S., Kitaeva G.Kh
    • THE 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE "TERAHERTZ AND MICROWAVE RADIATION: GENERATION, DETECTION AND APPLICATIONS" (TERA-2023), Москва, Россия, 27 февраля - 2 марта 2023
  • • 2022 Температурные зависимости мощностных характеристик квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона (Стендовый)
    • Авторы: Белов Д.А., Иконников А.В., Пушкарёв С.С., Галиев Р.Р., Пономарёв Д.С., Хохлов Д.Р., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Хабибуллин Р.А.
    • XV Российская конференция по физике полупроводников (Россия, Нижний Новгород, 3-7 октября 2022), Нижний Новгород, Россия, 3-7 октября 2022
  • • 2022 Temperature dependences of spectral and power characteristics of quantum cascade lasers with frequencies from 2.3 to 4.1 THz (Устный)
    • Авторы: Belov D.A., Ikonnikov A.V., Pushkarev S.S., Galiev R.R., Ponomarev D.S., Khokhlov D.R., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Khabibullin R.A.
    • 20th International Conference Laser Optics (ICLO 2022), г. Санкт-Петербург, Россия, 20-24 июня 2022
  • • 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой (Устный)
    • Авторы: Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., КульбачинскийВ А., Юзеева Н.А.
    • Научная сессия НИЯУ МИФИ-2012, 30 января-4 февраля 2012, НИЯУ МИФИ, Москва, Россия, 2012

• Тезисы докладов

  • • 2023 Frequency tuning in terahertz quantum cascade lasers induced by current and temperature
    • Belov D.A., Ikonnikov A.V., Pushkarev S.S., Galiev R.R., Ponomarev D.S., Khokhlov D.R., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Khabibullin R.A.
    • в сборнике 5th International Conference “Terahertz and Microwave Generation, Detection and Applications, Moscow, Russia, February, 27 – March, 2, 2023, место издания Moscow, Russia, тезисы, с. 113-113
  • • 2022 Температурные зависимости мощностных характеристик квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
    • Белов Д.А., Иконников А.В., Пушкарёв С.С., Галиев Р.Р., Пономарёв Д.С., Хохлов Д.Р., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике XV Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, место издания ИПФ РАН Нижний Новгород, том 1, тезисы, с. 253
  • • 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 202-202
    • редактор Голотюк Олег Николаевич
  • • 2011 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs
    • Васильевский И.С., Пономарев Д.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 50-51
  • • 2011 Эффективная масса электронов в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Пономарев Д.С., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, IX Курчатовская молодежная научная школа, 22-25 ноября 2011г., Москва, место издания Курчатовский институт Москва, тезисы, с. 124