Хабибуллин Р.А.
Количество цитирований статей в журналах по данным
Scopus: 0
IstinaResearcherID (IRID): 532493
Деятельность
-
Статьи в журналах
-
-
2018
3 THz quantum-cascade laser with metallic waveguide based on resonant-phonon depopulation scheme
-
Zubov F.I.,
Ikonnikov A.V.,
Maremyanin K.V.,
Morozov S.V.,
Gavrilenko V.I.,
Pavlov A.Yu,
Shchavruk N.V.,
Khabibulin R.A.,
Reznik R.R.,
Cirlin G.E.,
Zhukov A.E.,
Dubinov A.A.,
Alferov Zh I.
-
в журнале EPJ Web of Conferences, том 195, с. 04007
DOI
-
-
2018
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрегиетках Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.4sAs при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
-
Пономарев Д.С.,
Хабибуллин Р.А.,
Клочков А.Н.,
Ячменев А.Э.,
Бугаев А.С.,
Хусяннов Д.И.,
Буряков А.М.,
Билык В.Р.,
Мишина Е.Д.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 52, № 7, с. 723-728
-
-
2017
Генерация терагерцового излучения многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
-
Иконников А.В.,
Маремьянин К.В.,
Морозов С.В.,
Гавриленко В.И.,
Павлов А.Ю.,
Щаврук Н.В.,
Хабибуллин Р.А.,
Резник Р.Р.,
Цырлин Г.Э.,
Зубов Ф.И.,
Жуков А.Е.,
Алфёров Ж.И.
-
в журнале Письма в "Журнал технической физики", издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 43, № 7, с. 86-94
DOI
-
-
2013
Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
-
Хабибуллин Р.А.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Пономарев Д.С.,
Васильевский И.С.,
Кульбачинский В.А.,
Боков П.Ю.,
Авакянц Л.П.,
Червяков А.В.,
Мальцев П.П.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 47, № 9, с. 1215-1220
-
-
2012
Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
-
Пономарев Д.С.,
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Гладков В.П.,
Кульбачинский В.А.,
Юзеева Н.А.,
Каргин Н.И.,
Стриханов М.Н.
-
в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, № 2, с. 1-6
-
-
2012
Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
-
Пономарев Д.С.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Хабибуллин Р.А.,
Кульбачинский В.А.,
Юзеева Н.А.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 46, № 4, с. 500-506
-
-
2011
Инженерия волновых функций в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с композитной квантовой ямой, содержащей нановставки InAs
-
Пономарев Д.С.,
Васильевский И.С.,
Галлиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Хабибуллин Р.А.,
Гладков В.П.,
Кульбачинский В.А.
-
в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, № 1, с. 89-93
-
-
-
Статьи в сборниках
-
Доклады на конференциях
-
-
2022
Температурные зависимости мощностных и спектральных характеристик квантово-каскадных лазеров с частотами от 2.3 до 4.1 ТГц
(Стендовый)
-
Авторы:
Белов Д.А.,
Иконников А.В.,
Пушкарёв С.С.,
Галиев Р.Р.,
Пономарёв Д.С.,
Хохлов Д.Р.,
Морозов С.В.,
Гавриленко В.И.,
Хабибуллин Р.А.
-
XXVI Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, г. Нижний Новгород, Россия, 14-17 марта 2022
-
-
-
2012
Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
-
Авторы:
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Боков П.Ю.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.,
Галиев Г.Б.
-
2-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ - электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Россия, Москва, Национальный Исследовательский Ядерный Университет МИФИ, Россия, 2012
-
Тезисы докладов
-
-
2022
Температурные зависимости мощностных и спектральных характеристик квантово-каскадных лазеров с частотами от 2.3 до 4.1 ТГц
-
Белов Д.А.,
Иконников А.В.,
Пушкарёв С.С.,
Галиев Р.Р.,
Пономарёв Д.С.,
Хохлов Д.Р.,
Морозов С.В.,
Гавриленко В.И.,
Хабибуллин Р.А.
-
в сборнике Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород 14-17 марта 2022 г.), место издания Издательство Нижегородского госуниверситета Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 700-701
-
-
-
2012
Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
-
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.,
Боков П.Ю.
-
в сборнике Сборник трудов 2-ой Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ – электроники «Мокеровские чтения», Москва, МИФИ, Россия, 2012, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы
-
-
-
2011
Гетероструктуры с комбинированно-легированным каналом и высокой концентрацией электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs/AlGaAs: моделирование и эксперимент
-
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.
-
в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 40-41
-
-
2010
Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
-
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Гладков В.П.,
Климов Е.А.,
Клочков А.Н.,
Юзеева Н.А.,
Кульбачинский В.А.
-
в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 18-21
-
-
2009
Влияние поверхностного потенциала на фотолюминесценцию квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs
-
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Матвеев Ю.А.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.,
Гладков В.П.,
Хабибуллин Р.А.
-
в сборнике Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 215