ИСТИНА

Хабибуллин Р.А.

Соавторы: Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Klimov E.A., Галиев Г.Б., Пономарев Д.С., Galiev G.B., Гладков В.П., Gavrilenko V.I., Иконников А.В., Юзеева Н.А., Maremyanin K.V., Reznik R.R., Shchavruk N.V. показать полностью..., Алферов Ж.И., Боков П.Ю., Морозов С.В., Cirlin G.E., Dubinov A.A., Galiev G.B., Klochkov A., Morozov S.V., Zhukov A.E., Zubov F.I., Авакянц Л.П., Белов Д.А., Билык В.Р., Бугаев А.С., Галиев Р.Р., Каргин Н.И., Климов Е.А., Климов Е.А., Мальцев П.П., Матвеев Ю.А., Мишина Е.Д., Пономарёв Д.С., Пушкарёв С.С., Стриханов М.Н., Хохлов Д.Р., Хусяннов Д.И., Цырлин Г.Э., Червяков А.В., Ячменев А.Э.

10 статей, 3 доклада на конференциях, 7 тезисов докладов

Количество цитирований статей в журналах по данным Scopus: 0

IstinaResearcherID (IRID): 532493

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2018 3 THz quantum-cascade laser with metallic waveguide based on resonant-phonon depopulation scheme
    • Zubov F.I., Ikonnikov A.V., Maremyanin K.V., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Pavlov A.Yu, Shchavruk N.V., Khabibulin R.A., Reznik R.R., Cirlin G.E., Zhukov A.E., Dubinov A.A., Alferov Zh I.
    • в журнале EPJ Web of Conferences, том 195, с. 04007 DOI
  • • 2018 Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрегиетках Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.4sAs при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
    • Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Клочков А.Н., Ячменев А.Э., Бугаев А.С., Хусяннов Д.И., Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 52, № 7, с. 723-728
  • • 2017 Генерация терагерцового излучения многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
    • Иконников А.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Павлов А.Ю., Щаврук Н.В., Хабибуллин Р.А., Резник Р.Р., Цырлин Г.Э., Зубов Ф.И., Жуков А.Е., Алфёров Ж.И.
    • в журнале Письма в "Журнал технической физики", издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 43, № 7, с. 86-94 DOI
  • • 2013 Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    • Хабибуллин Р.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Мальцев П.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 47, № 9, с. 1215-1220
  • • 2012 Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
    • Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Каргин Н.И., Стриханов М.Н.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, № 2, с. 1-6
  • • 2012 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 46, № 4, с. 500-506
  • • 2011 Инженерия волновых функций в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с композитной квантовой ямой, содержащей нановставки InAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галлиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Гладков В.П., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, № 1, с. 89-93
  • • 2011 Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 12, с. 16-19
  • • 2011 Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах Al/GaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 12, с. 21-24

• Статьи в сборниках

  • • 2011 Спектроскопия фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания квантовой ямы
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Сборник материалов 1 Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети "Функциональные наноматериалы для энергетики", место издания НИЯУ МИФИ, Москва, с. 85-93

• Доклады на конференциях

  • • 2022 Температурные зависимости мощностных и спектральных характеристик квантово-каскадных лазеров с частотами от 2.3 до 4.1 ТГц (Стендовый)
    • Авторы: Белов Д.А., Иконников А.В., Пушкарёв С.С., Галиев Р.Р., Пономарёв Д.С., Хохлов Д.Р., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Хабибуллин Р.А.
    • XXVI Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, г. Нижний Новгород, Россия, 14-17 марта 2022
  • • 2012 Подвижность электронов в комбинированно-легированной HFET гетероструктуре со ступенчатой квантовой ямой AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs (Устный)
    • Авторы: Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • Научная сессия НИЯУ МИФИ-2012, 30 января-4 февраля 2012, НИЯУ МИФИ, Москва, Россия, 2012
  • • 2012 Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
    • Авторы: Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Боков П.Ю., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Галиев Г.Б.
    • 2-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ - электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Россия, Москва, Национальный Исследовательский Ядерный Университет МИФИ, Россия, 2012

• Тезисы докладов

  • • 2022 Температурные зависимости мощностных и спектральных характеристик квантово-каскадных лазеров с частотами от 2.3 до 4.1 ТГц
    • Белов Д.А., Иконников А.В., Пушкарёв С.С., Галиев Р.Р., Пономарёв Д.С., Хохлов Д.Р., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород 14-17 марта 2022 г.), место издания Издательство Нижегородского госуниверситета Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 700-701
  • • 2012 Подвижность электронов в комбинированно-легированной HFET гетероструктуре со ступенчатой квантовой ямой AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., КульбачинскийВ А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 205
    • редактор Голотюк Олег Николаевич
  • • 2012 Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю.
    • в сборнике Сборник трудов 2-ой Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ – электроники «Мокеровские чтения», Москва, МИФИ, Россия, 2012, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы
  • • 2011 Встроенное электрическое поле в приповерхностных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ IX Курчатовской молодежной научной школы, место издания Москва, тезисы, с. 136
  • • 2011 Гетероструктуры с комбинированно-легированным каналом и высокой концентрацией электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs/AlGaAs: моделирование и эксперимент
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 40-41
  • • 2010 Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 18-21
  • • 2009 Влияние поверхностного потенциала на фотолюминесценцию квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Матвеев Ю.А., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Гладков В.П., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 215