Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Хабибуллин Р.А.
Соавторы:
Васильевский И.С.
,
Кульбачинский В.А.
,
Пономарев Д.С.
,
Klimov E.A.
,
Галиев Г.Б.
,
Gavrilenko V.I.
,
Иконников А.В.
,
Galiev G.B.
,
Гладков В.П.
,
Белов Д.А.
,
Морозов С.В.
,
Хохлов Д.Р.
,
Галиев Р.Р.
показать полностью...
,
Юзеева Н.А.
,
Maremyanin K.V.
,
Morozov S.V.
,
Reznik R.R.
,
Shchavruk N.V.
,
Алферов Ж.И.
,
Боков П.Ю.
,
Cirlin G.E.
,
Dubinov A.A.
,
Galiev G.B.
,
Galiev R.R.
,
Klochkov A.
,
Pushkarev S.S.
,
Ushakov D.V.
,
Zhukov A.E.
,
Zubov F.I.
,
Авакянц Л.П.
,
Афоненко А.А.
,
Билык В.Р.
,
Бугаев А.С.
,
Каргин Н.И.
,
Климов Е.А.
,
Климов Е.А.
,
Мальцев П.П.
,
Матвеев Ю.А.
,
Мишина Е.Д.
,
Пономарёв Д.С.
,
Пушкарёв С.С.
,
Стриханов М.Н.
,
Хусяннов Д.И.
,
Цырлин Г.Э.
,
Червяков А.В.
,
Ячменев А.Э.
12 статей
,
5 докладов на конференциях
,
8 тезисов докладов
Количество цитирований статей в журналах по данным Scopus: 0
IstinaResearcherID (IRID): 532493
Деятельность
Статьи в журналах
2022
Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц
Белов Д.А.
,
Иконников А.В.
, Пушкарев С.С.,
Галиев Р.Р.
, Пономарев Д.С.,
Хохлов Д.Р.
,
Ушаков Д.В.
,
Афоненко А.А.
,
Морозов С.В.
,
Гавриленко В.И.
,
Хабибуллин Р.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 56, № 7, с. 705-710
DOI
2018
3 THz quantum-cascade laser with metallic waveguide based on resonant-phonon depopulation scheme
Zubov F.I.
,
Ikonnikov A.V.
,
Maremyanin K.V.
,
Morozov S.V.
,
Gavrilenko V.I.
, Pavlov A.Yu,
Shchavruk N.V.
,
Khabibulin R.A.
,
Reznik R.R.
,
Cirlin G.E.
,
Zhukov A.E.
,
Dubinov A.A.
,
Alferov Zh I.
в журнале
EPJ Web of Conferences
, том 195, с. 04007
DOI
2018
Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрегиетках Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.4sAs при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
Пономарев Д.С.
,
Хабибуллин Р.А.
, Клочков А.Н.,
Ячменев А.Э.
,
Бугаев А.С.
,
Хусяннов Д.И.
, Буряков А.М.,
Билык В.Р.
,
Мишина Е.Д.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 52, № 7, с. 723-728
2017
Генерация терагерцового излучения многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
Иконников А.В.
,
Маремьянин К.В.
,
Морозов С.В.
,
Гавриленко В.И.
, Павлов А.Ю.,
Щаврук Н.В.
,
Хабибуллин Р.А.
,
Резник Р.Р.
,
Цырлин Г.Э.
, Зубов Ф.И., Жуков А.Е.,
Алфёров Ж.И.
в журнале
Письма в "Журнал технической физики"
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 43, № 7, с. 86-94
DOI
2013
Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
Хабибуллин Р.А.
,
Галиев Г.Б.
, Климов Е.А.,
Пономарев Д.С.
,
Васильевский И.С.
,
Кульбачинский В.А.
,
Боков П.Ю.
,
Авакянц Л.П.
,
Червяков А.В.
,
Мальцев П.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 47, № 9, с. 1215-1220
2012
Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
Пономарев Д.С.
,
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Гладков В.П.
,
Кульбачинский В.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Каргин Н.И.
,
Стриханов М.Н.
в журнале
Ядерная физика и инжиниринг
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, том 3, № 2, с. 1-6
2012
Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
Пономарев Д.С.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Хабибуллин Р.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Юзеева Н.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 46, № 4, с. 500-506
2011
Инженерия волновых функций в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с композитной квантовой ямой, содержащей нановставки InAs
Пономарев Д.С.
,
Васильевский И.С.
,
Галлиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Хабибуллин Р.А.
,
Гладков В.П.
,
Кульбачинский В.А.
в журнале
Ядерная физика и инжиниринг
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, том 2, № 1, с. 89-93
2011
Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs
Пономарев Д.С.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Хабибуллин Р.А.
,
Кульбачинский В.А.
в журнале
Нано- и микросистемная техника
, № 12, с. 16-19
2011
Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах Al/GaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Кульбачинский В.А.
,
Пономарев Д.С.
,
Хабибуллин Р.А.
в журнале
Нано- и микросистемная техника
, том 12, с. 21-24
Статьи в сборниках
2022
Temperature dependences of spectral and power characteristics of quantum cascade lasers with frequencies from 2.3 to 4.1 THz
Belov D.A.
,
Ikonnikov A.V.
,
Pushkarev S.S.
,
Galiev R.R.
,
Ponomarev D.S.
,
Khokhlov D.R.
,
Morozov S.V.
,
Gavrilenko V.I.
,
Khabibullin R.A.
в сборнике
2022 International Conference Laser Optics (ICLO)
, место издания
IEEE
DOI
2011
Спектроскопия фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания квантовой ямы
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Гладков В.П.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
в сборнике
Сборник материалов 1 Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети "Функциональные наноматериалы для энергетики"
, место издания
НИЯУ МИФИ, Москва
, с. 85-93
Доклады на конференциях
2022
Температурные зависимости мощностных характеристик квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
(Стендовый)
Авторы:
Белов Д.А.
,
Иконников А.В.
,
Пушкарёв С.С.
,
Галиев Р.Р.
,
Пономарёв Д.С.
,
Хохлов Д.Р.
,
Морозов С.В.
,
Гавриленко В.И.
,
Хабибуллин Р.А.
XV Российская конференция по физике полупроводников (Россия, Нижний Новгород, 3-7 октября 2022)
, Нижний Новгород, Россия, 3-7 октября 2022
2022
Temperature dependences of spectral and power characteristics of quantum cascade lasers with frequencies from 2.3 to 4.1 THz
(Устный)
Авторы:
Belov D.A.
,
Ikonnikov A.V.
,
Pushkarev S.S.
,
Galiev R.R.
,
Ponomarev D.S.
,
Khokhlov D.R.
,
Morozov S.V.
,
Gavrilenko V.I.
,
Khabibullin R.A.
20th International Conference Laser Optics (ICLO 2022)
, г. Санкт-Петербург, Россия, 20-24 июня 2022
2022
Температурные зависимости мощностных и спектральных характеристик квантово-каскадных лазеров с частотами от 2.3 до 4.1 ТГц
(Стендовый)
Авторы:
Белов Д.А.
,
Иконников А.В.
,
Пушкарёв С.С.
,
Галиев Р.Р.
,
Пономарёв Д.С.
,
Хохлов Д.Р.
,
Морозов С.В.
,
Гавриленко В.И.
,
Хабибуллин Р.А.
XXVI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
, НИжний Новгород, Россия, 14-18 марта 2022
2012
Подвижность электронов в комбинированно-легированной HFET гетероструктуре со ступенчатой квантовой ямой AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs
(Устный)
Авторы:
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
Научная сессия НИЯУ МИФИ-2012, 30 января-4 февраля 2012
, НИЯУ МИФИ, Москва, Россия, 2012
2012
Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
Авторы:
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Боков П.Ю.
2-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ - электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
, Россия, Москва, Национальный Исследовательский Ядерный Университет МИФИ, Россия, 2012
Тезисы докладов
2022
Температурные зависимости мощностных и спектральных характеристик квантово-каскадных лазеров с частотами от 2.3 до 4.1 ТГц
Белов Д.А.
,
Иконников А.В.
,
Пушкарёв С.С.
,
Галиев Р.Р.
,
Пономарёв Д.С.
,
Хохлов Д.Р.
,
Морозов С.В.
,
Гавриленко В.И.
,
Хабибуллин Р.А.
в сборнике
Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород 14-17 марта 2022 г.)
, место издания
Издательство Нижегородского госуниверситета Нижний Новгород
, том 2, тезисы, с. 700-701
2022
Температурные зависимости мощностных характеристик квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
Белов Д.А.
,
Иконников А.В.
, Пушкарёв С.С.,
Галиев Р.Р.
,
Пономарёв Д.С.
,
Хохлов Д.Р.
,
Морозов С.В.
,
Гавриленко В.И.
,
Хабибуллин Р.А.
в сборнике
XV Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов
, место издания
ИПФ РАН Нижний Новгород
, том 1, тезисы, с. 253
2012
Подвижность электронов в комбинированно-легированной HFET гетероструктуре со ступенчатой квантовой ямой AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
КульбачинскийВ А.
в сборнике
НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии
, серия
Научная сессия НИЯУ МИФИ
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, том 2, тезисы, с. 205
редактор
Голотюк Олег Николаевич
2012
Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Боков П.Ю.
в сборнике
Сборник трудов 2-ой Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ – электроники «Мокеровские чтения», Москва, МИФИ, Россия, 2012
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, тезисы
2011
Встроенное электрическое поле в приповерхностных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Хабибуллин Р.А.
в сборнике
Сборник аннотаций работ IX Курчатовской молодежной научной школы
, место издания
Москва
, тезисы, с. 136
2011
Гетероструктуры с комбинированно-легированным каналом и высокой концентрацией электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs/AlGaAs: моделирование и эксперимент
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
в сборнике
Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, тезисы, с. 40-41
2010
Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Гладков В.П.
,
Климов Е.А.
,
Клочков А.Н.
,
Юзеева Н.А.
,
Кульбачинский В.А.
в сборнике
НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов
, серия
Научная сессия НИЯУ МИФИ
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, том 3, тезисы, с. 18-21
2009
Влияние поверхностного потенциала на фотолюминесценцию квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Матвеев Ю.А.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Гладков В.П.
,
Хабибуллин Р.А.
в сборнике
Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009
, место издания
РНЦ "Курчатовский институт" Москва
, тезисы, с. 215