ИСТИНА

Гладков В.П.

Соавторы: Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Хабибуллин Р.А., Klimov E.A., Галиев Г.Б., Galiev G.B., Пономарев Д.С., Юзеева Н.А., Klochkov A., Каргин Н.И., Матвеев Ю.А., Стриханов М.Н.

3 статьи, 2 тезисов докладов

IstinaResearcherID (IRID): 541303

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 2012 Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
    • Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Каргин Н.И., Стриханов М.Н.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, № 2, с. 1-6
  • • 2011 Инженерия волновых функций в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с композитной квантовой ямой, содержащей нановставки InAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галлиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Гладков В.П., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, № 1, с. 89-93

• Статьи в сборниках

  • • 2011 Спектроскопия фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания квантовой ямы
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Сборник материалов 1 Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети "Функциональные наноматериалы для энергетики", место издания НИЯУ МИФИ, Москва, с. 85-93

• Тезисы докладов

  • • 2010 Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 18-21
  • • 2009 Влияние поверхностного потенциала на фотолюминесценцию квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Матвеев Ю.А., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Гладков В.П., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 215