Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Ахвледиани З.Г.
Соавторы:
Даварашвили О.И.
,
Енукашвили М.И.
,
Зломанов В.П.
,
Пашаев А.М.
,
Гуляев Р.Г.
,
Bychkova L.P.
,
Dzagania M.A.
,
Дзагания М.А.
,
Bychkova A.V.
,
Бычкова Л.П.
,
Dzagania A.
,
Pashaev 5. .
,
Pashaev 5. .
23 статьи
,
2 тезисов докладов
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 19, Scopus: 0
IstinaResearcherID (IRID): 5798781
Деятельность
Статьи в журналах
2019
Analysis of the conditions of deformation's formation in lead selenide nanolayers
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Bychkova L.P.
,
Gulyaev R.G.
,
Dzagania M.A.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
, издательство
-
(Krakow)
, том 503, № 1, с. 012025-012033
DOI
2019
High deformations in lead selenide nanolayers and related new properties
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Bychkova L.P.
,
Gulyaev R.G.
,
Dzagania M.A.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
European Chemical Bulletin
, том 8, № 2, с. 57-62
DOI
2017
Исследование напряженных нанослоев полупроводников A(IV)B(VI) на диэлектрических подложках
Пашаев А.М.
,
Даварашвили О.И.
,
Енукашвили М.И.
,
Ахвледиани З.Г.
,
Бычкова Л.П.
,
Гуляев Р.Г.
,
Дзагания М.А.
,
Зломанов В.П.
в журнале
Известия академии наук Грузии. Серия химическая
, том 43, № 1, с. 24-36
2017
Новый анализ оптических параметров напряженных нанослоев полупроводников A(IV)B(VI)
Пашаев А.М.
,
Даварашвили О.И.
,
Енукашвили М.И.
,
Ахвледиани З.Г.
,
Бычкова Л.П.
,
Дзагания М.А.
,
Зломанов В.П.
в журнале
Известия НАН Грузии
, том 43, № 3-4, с. 418-426
2016
Investigation of Strained Lead Selenide Nanolayers
Pashaev 51 A M
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
, Bychkova L.P.,
Dzagania A.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
Global Journal of Engineering Science and Research Management (GIESRM)
, № 3, с. 56-64
2016
Study of the OpticalCharacteristics of Epitaxial PbS1-ySey Layers
Pashaev 50 A M
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Byhkova L.P.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
Global Journal of Engineering Science and Research Management (GIESRM)
, № 3(2), с. 46-53
2015
Analysis of the absorption spectra of epitaxial lead telluride and lead selenide layers
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Bychkova L.P.
,
Dzagania M.A.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
International Journal of Engineering and Innovative Technology (IJEIT)
, том 4, № 11, с. 193-198
2015
Analysis of the absorption spectra of epitaxial lead telluride and lead selenide layers
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Bychkova L.P.
,
Dzagania M.A.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
International Journal of Engineering and Innovative Technology (IJEIT)
, том 4, № 11, с. 193-198
2015
Control of the forbidden gap width by varying the composition and the thickness of the layers of IV-VI semiconductors
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Bychkova L.P.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
Nano Studies
, № 12, с. 5-10
2015
Investigation of the Optical Absorption Spectra of Thin Epitaxial Lead Selenide Layers Approaching the Nanoscale Thickness
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Bychkova L.P.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
Nano Studies
, № 11, с. 27-34
2015
Моделирование спектров оптического поглощения напряженных эпитаксиальных слоев селенида свинца
Пашаев А.М.
,
Даварашвили О.И.
,
Енукашвили М.И.
,
Ахвледиани З.Г.
,
Бычкова Л.П.
,
Дзагания М.А.
,
Зломанов В.П.
в журнале
Известия НАН Грузии
, том 41, № 1-2, с. 69-76
2015
Специфика спектров оптического пропускания и поглощения нанослоев полупроводников AIV BVI
Пашаев А.М.
,
Даварашвили О.И.
,
Енукашвили М.И.
,
Ахвледиани З.Г.
,
Бычкова Л.П.
,
Дзагания М.А.
,
Зломанов В.П.
в журнале
Известия НАН Грузии
, том 41, № 3, с. 204-209
2014
Stretching strain - effective "negative" pressure in Lead selenide nanolayers
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Bychkova L.P.
,
Gulyaev R.G.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
International Journal of Engineering and Innovative Technology (IJEIT)
, том 3, № 11, с. 318-323
2014
ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ A(IV)B(VI) С ЗАМЕЩЕНИЕМ В АНИОННОЙ ПОДРЕШЕТКЕ
Пашаев А.М.
,
Даварашвили О.И.
,
Енукашвили М.И.
,
Ахвледиани З.Г.
,
Гуляев Р.Г.
,
Бычкова Л.П.
,
Дзагания М.А.
,
Зломанов В.П.
в журнале
ИЗВЕСТИЯ НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ НАУК ГРУЗИИ
, том 40, № 2-3, с. 4-10
2013
Modeling of the Quasi-Dielectric State in PbSnTe and PbSnSe Nanolayers with High Concentration of Nonstoichiometric Defects
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Gulyaev R.G.
,
Bychkova L.P.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
Nano Studies
, № 8, с. 253-258
2013
Modification of the Properties of Lead Selenide Layers at Their Nanothickness
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Gulyaev R.G.
,
Bychkova L.P.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
Nano Studies
, № 7, с. 233-240
2013
Nanolayers of Lead Selenide on Potassium Chloride Substrates: Specific Features of Formation
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Enukashvili M.I.
,
Gulyaev R.G.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
Journal of Materials Science and Engineering A
, № 4, с. 235-238
2013
New Opportunities in Lead Selenide Nanolayers
Pashaev Arif M.
,
Davarashvili Omar I.
,
Enukashvili Megi I.
,
Akhvlediani Zaira G.
,
Gulyaev Revaz G.
,
Zlomanov Vladimir P.
в журнале
Advanced materials research
, издательство
Trans Tech Publications
(Stafa-Zurich, Switzerland, Switzerland)
, № 815, с. 473-477
2013
The Structure of Thin Epitaxial Layers of Lead Selenide
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Enukashvili M.I.
,
Gulyaev R.G.
,
Zlomanov V.P.
в журнале
Journal of Materials Science and Engineering A
, № 2, с. 117-122
2013
Исследование структуры нанослоев селенида свинца при толщинах <=70 нм
Пашаев А.М.
,
Даварашвили О.И.
,
Енукашвили М.И.
,
Ахвледиани З.Г.
,
Гуляев Р.Г.
,
Зломанов В.П.
в журнале
Известия Национальной Академии наук Азербайджана, серия физико-технических и мат. наук
, том 33, № 5, с. 31-40
2012
Unrelaxed State in Epitaxial Heterostructures Based on Lead Selenide
Pashaev A.
,
Davarashvili O.
,
Akhvlediani Z.
,
Enukashvili M.
,
Gulyaev R.
,
Zlomanov V.
в журнале
Journal of Modern Physics
, издательство
Scientific Research Publishing, Inc.
([Irvine, CA], United States)
, том 3, № 6, с. 502-510
2012
Новые исследования характера роста нанослоев селенида свинца
Пашаев А.М.
,
Даварашвили О.И.
,
Енукашвили М.И.
,
Ахвледиани З.Г.
,
Гуляев Р.Г.
,
Зломанов В.П.
в журнале
Ученые записки Национальной Академии Азербайджана
, том 14, № 4, с. 3-8
2011
Эффективное «отрицательное» давление в эпитаксиальных нанослоях селенида свинца
Пашаев А.М.
,
Даварашвили О.И.
,
Ахвледиани З.Г.
,
Гуляев Р.Г.
,
Енукашвили М.И.
,
Зломанов В.П.
в журнале
Доклады Академии Наук Азербайджана
, № 1, с. 43-53
Тезисы докладов
2013
Modeling of the dielectric state in PbSnSe and PbSnTe nanolayers with high concentration of nonstoichiometric defects
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Enukashvili M.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Bychkova L.P.
,
Zlomanov V.P.
в сборнике
Book of Abstracts of the 17th International Conference on Radiation Effects in Insulators
, место издания
Helsinki
, тезисы, с. PB-16-PB-16
2012
Growth properties of Strained Epitaxial Nanolayers of Lead Selenide
Pashaev A.M.
,
Davarashvili O.I.
,
Akhvlediani Z.G.
,
Enukashvili M.I.
,
Gulyaev R.G.
,
Zlomanov V.P.
в сборнике
Book of Abstracts of the International Conference on Functional Materials and Nanotechnologies
, место издания
Riga
, тезисы, с. PO-198-PO-198