Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Kennard M.
Kennard M.
IstinaResearcherID (IRID): 598717323
–

Статьи в журналах

    • 2007 Raman spectroscopy study of damage and strain in (001) and (011) Si induced by hydrogen or helium implantation
    • Villeneuve C., Bourdelle K.K., Paillard V., Hebras X., Kennard M.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 102, № 9 DOI
    • 2007 RAMAN SPECTROSCOPY STUDY OF DAMAGE AND STRAIN IN (001) AND (011) SI INDUCED BY HYDROGEN OR HELIUM IMPLANTATION
    • Villeneuve C., Bourdelle K.K., Paillard V., Hebras X., Kennard M.
    • в журнале Journal of Physics D - Applied Physics, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 102, № 9, с. 094905
    • 2006 Hydrogen implantation-induced defects in bulk Si studied by Raman spectrometry
    • Villeneuve C., Paillard V., Bourdelle K.K., Cayrefourcq I., Boussagol A., Kennard M.
    • в журнале Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 253, № 1-2, с. 182-186 DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь