Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Blaeser Sebastian
Blaeser Sebastian
IstinaResearcherID (IRID): 599005845
Статьи в журналах Статьи в сборниках
–

Статьи в журналах

    • 2015 Strained Si and SiGe Nanowire Tunnel FETs for Logic and Analog Applications
    • Qing-Tai Zhao, Richter Simon, Schulte-Braucks Christian, Knoll Lars, Blaeser Sebastian, Luong Gia Vinh, Trellenkamp Stefan, Schafer Anna, Tiedemann Andreas, Hartmann Jean-Michel, Bourdelle Konstantin, Mantl Siegfried
    • в журнале IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, том 3, № 3, с. 103-114 DOI

Статьи в сборниках

    • 2013 Si based tunneling field effect transistors and inverters
    • Mantl Siegfried, Knoll Lars, Richter Simon, Schmidt Matthias, Wirths Stephan, Nichau Alexander, Schafer Anna, Blaeser Sebastian, Trellenkamp Stefan, Hartmann Jean-Michael, Bourdelle Konstantin K., Buca Dan, Zhao Qing-Tai
    • в сборнике 71st Device Research Conference, место издания IEEE DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь