Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Pham-Nguyen L.
Pham-Nguyen L.
IstinaResearcherID (IRID): 599299021
–

Статьи в сборниках

    • 2009 Hybrid FDSOI/bulk High-k/metal gate platform for low power (LP) multimedia technology
    • Fenouillet-Beranger C., Perreau P., Pham-Nguyen L., Denorme S., Andrieu F., Tosti L., Brevard L., Weber O., Barnola S., Salvetat T., Garros X., Casse M., Cassé M., Leroux C., Noel J.P., Thomas O., Le-Gratiet B., Baron F., Gatefait M., Campidelli Y., Abbate F., Perrot C., de-Buttet C., Beneyton R., Pinzelli L., Leverd F., Gouraud P., Gros-Jean M., Bajolet A., Mezzomo C., Leyris C., Haendler S., Noblet D., Pantel R., Margain A., Borowiak C., Josse E., Planes N., Delprat D., Boedt F., Bourdelle K., Nguyen B.Y., Boeuf F., Faynot O., Skotnicki T.
    • в сборнике 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), место издания IEEE DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь