Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Mccoy S.P.
Mccoy S.P.
IstinaResearcherID (IRID): 599300076
Статьи в журналах Статьи в сборниках
–

Статьи в журналах

    • 2002 Transient-enhanced diffusion in shallow-junction formation
    • Fiory A.T., Chawda S.G., Madishetty S., Mehta V.R., Ravindra N.M., Mccoy S.P., Lefrançois M.E., Bourdelle K.K., Mckinley J.M., Gossmann H.J L, Agarwal A.
    • в журнале Journal of Electronic Materials, издательство Institute of Electrical and Electronics Engineers (Piscataway, NJ, United States), том 31, № 10, с. 999-1003 DOI
    • 2001 Implant Dose and Spike Anneal Temperature Relationships
    • Bourdelle K.K., Fiory A.T., Gossmann H.J L, McCoy S.P.
    • в журнале Materials Research Society symposia proceedings. Materials Research Society, издательство North Holland (Amsterdam, Netherlands), том 669 DOI

Статьи в сборниках

    • 2001 Rapid thermal activation and diffusion of boron and phosphorus implants
    • Fiory A.T., Chawda S.G., Madishetty S., Mehta V.R., Ravindra N.M., McCoy S.P., Lefrancois M.E., Bourdelle K.K., McKinley J.M., Gossmann H.J L, Agarwal A.
    • в сборнике 9th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP 2001, место издания RTP DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь