Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Kornblit A.
Kornblit A.
IstinaResearcherID (IRID): 599300280
Статьи в журналах Статьи в сборниках
–

Статьи в журналах

    • 2000 The relentless march of the MOSFET gate oxide thickness to zero
    • Timp G., Bude J., Baumann F., Bourdelle K.K., Boone T., Garno J., Ghetti A., Green M., Gossmann H., Kim Y., Kleiman R., Kornblit A., Klemens F., Moccio S., Muller D., Rosamilia J., Silverman P., Sorsch T., Timp W., Tennant D., Tung R., Weir B.
    • в журнале Microelectronics and Reliability, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 40, № 4-5, с. 557-562 DOI

Статьи в сборниках

    • 1999 The ballistic nano-transistor
    • Timp G., Bude J., Bourdelle K.K., Garno J., Ghetti A., Gossmann H., Green M., Forsyth G., Kim Y., Kleiman R., Klemens F., Kornblit A., Lochstampfor C., Mansfield W., Moccio S., Sorsch T., Tennant D.M., Timp W., Tung R.
    • в сборнике International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), место издания IEEE DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь