Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Nigel Hacker
Nigel Hacker
IstinaResearcherID (IRID): 60038878
–

Статьи в журналах

    • 2018 Low-k protection from F radicals and VUV photons by multilayer pore grafting approach
    • Zotovich Alexey, Rezvanov Askar, Chanson Romain, Zhang Lin, Hacker Nigel, Kurchikov Konstantin Alekseevich, Klimin Sergey, Zyryanov S.M., Lopaev D., Gornev Evgeny, Clemente Iosif, Miakonkikh Andrew, Maslakov K.I.
    • в журнале Journal of Physics D - Applied Physics, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 51, № 32, с. 325202 DOI
    • 2017 Pore surface grafting of porous low-k dielectrics by selective polymers
    • Rezvanov Askar, Zhang Liping, Watanabe Mitsuhiro, Krishtab Mikhail B., Zhang Lin, Hacker Nigel, Verdonck Patrick, Armini Silvia, de Marneffe Jean-François G.N.G
    • в журнале Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, издательство AIP Publishing (United States), том 35, № 2, с. 021211-021211 DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь