Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Климов Е.А.
Соавторы:
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Galiev G.B.
,
Юзеева Н.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Мальцев П.П.
,
Овешников Л.Н.
,
Klochkov A.
,
Китаева Г.Х.
,
Корниенко В.В.
,
Кузнецов К.А.
,
Пушкарев С.С.
показать полностью...
,
Khabibullin R.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Грехов М.С.
,
Коленцова О.С.
,
Пономарев Д.С.
,
Пушкарёв Г.И.
,
Сорокоумова А.В.
7 статей
,
1 доклад на конференции
,
3 тезисов докладов
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 0, Scopus: 0
IstinaResearcherID (IRID): 6054438
Деятельность
Статьи в журналах
2017
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных плёнках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411)А
Галиев Г.Б.
,
Грехов М.М.
,
Китаева Г.Х.
,
Климов Е.А.
,
Клочков А.Н.
,
Коленцова О.С.
,
Корниенко В.В.
,
Кузнецов К.А.
,
Мальцев П.П.
,
Пушкарёв С.С.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 51, № 3, с. 322-330
DOI
2015
Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах n0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24 As/In0.70Al0.30As на подложках GaAs
Кульбачинский В.А.
,
Овешников Л.Н.
,
Лунин Р.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Пушкарев С.С.
,
Мальцев П.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 49, № 7, с. 942-950
2015
Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1-xAs со вставками InAs
Кульбачинский В.А.
,
Овешников Л.Н.
,
Лунин Р.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Мальцев П.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 49, № 2, с. 204-213
2013
Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 47, № 7, с. 927-934
2013
Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53 Ga0.47 As на InP
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
в журнале
Журнал экспериментальной и теоретической физики
, том 143, № 5, с. 872-876
2011
Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Пономарев Д.С.
,
Лунин Р.А.
,
Кульбачинский В.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 45, № 10, с. 1373-1378
Статьи в сборниках
2016
Generation of THz radiation in epitaxial InGaAs films on InP substates of various crystallographic orientations
Galiev G.B.
,
Kitaeva G.H.
,
Klimov E.A.
,
Kornienko V.V.
,
Kuznetsov K.A.
,
Klochkov A.N.
,
Pushkarev S.S.
в сборнике
INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2016
, с. R3-28-R3-28
DOI
Доклады на конференциях
2012
Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
Авторы:
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Климов Е.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Васильевский И.С.
,
Юзеева Н.А.
36-е Совещание по физике низких температур
, Санкт-Петербург, Россия, Россия, 2012
Тезисы докладов
2014
SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATE
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
в сборнике
27th International Conference on Low Temperature Physics, Buenos Aires, Argentina, Abstracts book
, место издания
Buenos Aires, Argentina
, тезисы, с. 38-38
2014
Определение эффективных масс электронов по эффекту Шубникова – де Гааза в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs с разным содержанием In
Юзеева Н.А.
,
Сорокоумова А.В.
,
Лунин Р.А.
,
Овешников Л.Н.
,
Климов Е.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Кульбачинский В.А.
в сборнике
XII Курчатовская молодежная научная школа
, место издания
НИЦ "Курчатовский институт" Москва
, тезисы, с. 87-87
2012
Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Васильевский И.С.
,
Климов Е.А.
в сборнике
Тезисы докладов 36 Совещания по физики низких температур, 2-6 июля 2012 г., С. Петербург
, место издания
С. Петербург
, тезисы, с. 184-185