ИСТИНА

Klimov E.A.

Соавторы: Кульбачинский В.А., Васильевский И.С., Юзеева Н.А., Galiev G.B., Галиев Г.Б., Лунин Р.А., Хабибуллин Р.А., Пушкарев С.С., Пономарев Д.С., Klochkov A., Maltsev P.P., Гладков В.П., Китаева Г.Х. показать полностью..., Кузнецов К.А., Oveshnikov L.N., Корниенко В.В., Овешников Л.Н., Gromov D.V., Khabibullin R.A., Lavruchin D.V., Абдуллаева М.М., Барабанщикова В.В., Грехов М.С., Девишвили В.М., Демин А.Н., Ерофеев А.К., Заварцева М.М., Кабаченко Т.С., Кванин А.Л., Коленцова О.С., Кононова В.Н., Кузнецова А.С., Леонова А.Б., Леонтьев А.А., Матвеев Ю.А., Носкова О.Г., Пушкин М.А., Самоненко Ю.А., Сорокоумова А.В., Стрелков Ю.К., Чернышева О.Н., Шмелев А.Г.

12 статей, 2 книги, 12 докладов на конференциях, 16 тезисов докладов, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 19, Scopus: 27

IstinaResearcherID (IRID): 7874717

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2017 Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates
    • Galiev G.B., Grekhov M.M., Kitaeva G.Kh, Klimov E.A., Klochkov A.N., Kolentsova O.S., Kornienko V.V., Kuznetsov K.A., Maltsev P.P., Pushkarev S.S.
    • в журнале Semiconductors издательство Springer, том 51, № 3, с. 310-317 DOI
  • 
    • 2016 Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content
    • Yuzeeva N.A., Sorokoumova A.V., Lunin R.A., Oveshnikov L.N., Galiev G.B., Klimov E.A., Lavruchin D.V., Kulbachinskii V.A.
    • в журнале Journal of Low Temperature Physics, издательство Springer Verlag (Germany), том 185, с. 701-706 DOI
  • 
    • 2015 Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In (x) Ga1-x As quantum well with InAs inserts
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Maltsev P.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 2, с. 199-208 DOI
  • • 2015 Experimental determination of the subband electron effective mass in InGaAs/InAlAs HEMT - structures by the Shubnikov – de Haas effect at two temperatures
    • Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A.
    • в журнале Physics procedia, издательство Elsevier (United States), том 72, с. 425-430 DOI
  • 
    • 2015 Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As structures on GaAs substrates
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Pushkarev S.S., Maltsev P.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 7, с. 921-929 DOI
  • 
    • 2015 Quantum and Transport Scattering Times in AlGaAs/InGaAs nanoheterostructures With AlAs Inserts in The Spacer Layer
    • Galiev G.B., Vasil’evskii I.S., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Gromov D.V., Maltsev P.P.
    • в журнале Lithuanian Journal of Physics, издательство Lithuanian Physical Society (Lithuania), том 55, № 4, с. 249-254
  • 
    • 2014 Shubnikov de_Haas Effect and Electron Mobilities in the Isomorphic InGaAs Quantum Well With the InAs Insert on the InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 568, с. 052013-1-052013-5 DOI
  • • 2011 Инженерия волновых функций в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с композитной квантовой ямой, содержащей нановставки InAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галлиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Гладков В.П., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, № 1, с. 89-93
  • • 2011 Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 12, с. 16-19

• Статьи в сборниках

  • 
    • 2018 Generation of THz radiation in the photoconductive antennas based on epitaxial InGaAs films on GaAs substrates of various crystallographic orientations
    • Kuznetsov K.A., Galiev G.B., Kitaeva G.Kh, Klimov E.A., Klochkov A.N., Leontyev A.A., Pushkarev S.S., Maltsev P.P.
    • в сборнике 2018 International Conference Laser Optics (ICLO), место издания IEEE, с. 164-164 DOI
  • • 2012 The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Proceedings, 20th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», 26 July - 1 June 2012, NNovgorod, место издания Nizhny Novgorod, с. 199-200
  • • 2011 Спектроскопия фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания квантовой ямы
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Сборник материалов 1 Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети "Функциональные наноматериалы для энергетики", место издания НИЯУ МИФИ, Москва, с. 85-93

• Книги

  • • 2017 Психология труда, инженерная психология и эргономика. В 2-х ч. Часть 1: учебник для академического бакалавриата / под ред. Е.А.Климова, О.Г.Носковой, Г.Н.Солнцевой (3-е изд.)
    • Абдуллаева М.М., Барабанщикова В.В., Девишвили В.М., Дёмин А.Н., Ерофеев А.К., Заварцева М.М., Кабаченко Т.С., Климов Е.А., Кононова В.Н., Кузнецова А.С., Леонова А.Б., Носкова О.Г., Самоненко Ю.А., Стрелков Ю.К., Чернышева О.Н., Шмелёв А.Г.
    • место издания Издательство Юрайт Москва, ISBN 978-5-534-00129-7 (ч.1), 978-5-534-001130-3, 351 с.
  • • 2012 Advances in NANODEVICES AND NANOFABRICATION
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • место издания Pan Stanford Publishing Pte. Ltd Singapore Singapore, ISBN 978-981-4364-54-6, 10 с.

• Доклады на конференциях

  • • 2018 Generation of THz radiation by photoconductive antennas based on thin films InGaAs and InGaAs/InAlAs (Стендовый)
    • Авторы: Galiev G.B., Kitaeva G.Kh, Kornienko V.V., Leontyev A.A., Kuznetsov K.A., Klimov E.A., Klochkov A.N., Pushkarev S.S., Maltsev P.P.
    • 3rd International Conference “Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications” (TERA-2018), Нижний Новгород, Россия, 22-25 октября 2018
  • • 2018 Generation of THz radiation by photoconductive antennas based on thin films InGaAs and InGaAs/InAlAs (Стендовый)
    • Авторы: Leontyev A.A., Kuznetsov K.A., Galiev G.B., Kitaeva G.Kh, Kornienko V.V., Klimov E.A., Klochkov A.N., Pushkarev S.S., Maltsev P.P.
    • 3rd International Conference “Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications” (TERA-2018), Нижний Новгород, Россия, 22-25 октября 2018
  • • 2016 ГЕНЕРАЦИЯ ТЕРАГЕРЦЕВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЁНКАХ InGaAs ПРИ ФЕМТОСЕКУНДНОЙ ЛАЗЕРНОЙ НАКАЧКЕ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 1.56 МКМ (Устный)
    • Авторы: Кузнецов К.А., Галиев Г.Б., Китаева Г.Х., Корниенко В.В., Пушкарёв С.С., Климов Е.А.
    • Вторая Всероссийская конференция “Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника”, ФИАН им. П.Н. Лебедева, Россия, 28 сентября - 30 октября 2016
  • • 2016 Generation of THz radiation in epitaxial InGaAs films on InP substates of various crystallographic orientation (Устный)
    • Авторы: Kuznetsov K.A., Galiev G.B., Kitaeva G.Kh, Pushkarev S.S., Kornienko V.V., Klochkov A.N., Klimov E.А.
    • The 17th International Conference «Laser Optics 2016», St. Petersburg, Россия, 27 июня - 1 июля 2016
  • • 2016 Terahertz wave generation from epitaxial low-temperature-grown InGaAs films on InP (100) and (411)A substrates (Стендовый)
    • Авторы: Galiev G.B., Klimov E.A., Klochkov A.N., Kolentsova O.S., Kuznetsov K.A., Kornienko V.V., Kitaeva G.Kh, Pushkarev S.S.
    • 24th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Россия, 27 июня - 1 июля 2016
  • • 2014 Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Losev G.D., Galiev G.B., Klimov E.A., and Maltsev P.P.
    • 22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, Saint Petersburg, June23-27, 2014
  • • 2014 SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATE
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Klimov E.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Lunin R.A.
    • 27th International Conference on Low Temperature Physics, Argentina, Buenos Aires, Аргентина, 2014
  • • 2013 Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP (Устный)
    • Авторы: Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Овешников Л.Н.
    • НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013, Москва, Россия, 1-6 февраля 2013
  • • 2012 Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Klimov E.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Lunin R.A.
    • International Conference on Nanoscience and Technology, Paris, 2012
  • • 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой (Устный)
    • Авторы: Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Юзеева Н.А., Климов Е.А., КульбачинскийВ А., Галиев Г.Б.
    • Научная сессия НИЯУ МИФИ-2012, 30 января-4 февраля 2012, НИЯУ МИФИ, Москва, Россия, 2012
  • • 2012 Подвижность электронов в комбинированно-легированной HFET гетероструктуре со ступенчатой квантовой ямой AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs (Устный)
    • Авторы: Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • Научная сессия НИЯУ МИФИ-2012, 30 января-4 февраля 2012, НИЯУ МИФИ, Москва, Россия, 2012
  • • 2012 The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Klimov E.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Yuzeeva N.A.
    • 20th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” NNovgorod, Нижний Новгород, Россия, 26 июня - 1 июля 2012

• Тезисы докладов

  • 
    • 2016 Terahertz wave generation from epitaxial low-temperature-grown InGaAs films on InP (100) and (411)A substrates
    • Galiev G.B., Klimov E.А., Klochkov A.N., Pushkarev S.S., Kuznetsov K.A., Kornienko V.V., Kitaeva G.Kh
    • в сборнике 24-th International Symposium Nanostructures: Physics and technology, место издания St. Petersburg, тезисы, с. 221-222
  • 
    • 2016 ГЕНЕРАЦИЯ ТЕРАГЕРЦЕВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЁНКАХ InGaAs ПРИ ФЕМТОСЕКУНДНОЙ ЛАЗЕРНОЙ НАКАЧКЕ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 1.56 МКМ
    • Кузнецов К.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Корниенко В.В., Пушкарёв С.С., Китаева Г.Х.
    • в сборнике Сборник тезисов 2 Юбилейной всероссийской конференции "Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника" (ИСВПЭ-2016), место издания ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва, тезисы, с. 1-160
  • • 2013 Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP
    • Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Васильевский И.С.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013. Аннотации докладов. В 3 томах. Т. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 183
    • редакторы Богданович Б.Ю., Голотюк Олег Николаевич, Диденко Андрей Николаевич, Стриханов М.Н.
  • • 2012 Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Book of abstracts of International Conference on Nanoscience + Technology (ICN+T 2012), место издания Paris, France, тезисы, с. 73
  • • 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 202-202
    • редактор Голотюк Олег Николаевич
  • • 2012 Подвижность электронов в комбинированно-легированной HFET гетероструктуре со ступенчатой квантовой ямой AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., КульбачинскийВ А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 205
    • редактор Голотюк Олег Николаевич
  • • 2011 Electron mobility and persistent photoconductivity in quantum wells In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As on InP substrate
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике International conference on materials for advanced technologies – ICMAT2011, 26 June – 1 July 2011, Singapore, Symposium H - Nanodevices and Nanofabrication, место издания Singapore, тезисы, с. 68
  • • 2011 Встроенное электрическое поле в приповерхностных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ IX Курчатовской молодежной научной школы, место издания Москва, тезисы, с. 136
  • • 2011 Гетероструктуры с комбинированно-легированным каналом и высокой концентрацией электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs/AlGaAs: моделирование и эксперимент
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 40-41
  • • 2011 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs
    • Васильевский И.С., Пономарев Д.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 50-51
  • • 2011 Эффективная масса электронов в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Пономарев Д.С., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, IX Курчатовская молодежная научная школа, 22-25 ноября 2011г., Москва, место издания Курчатовский институт Москва, тезисы, с. 124
  • • 2010 Influence of surface and doping on electron transport in PHEMT structures on GaAs substrate with quantum well AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Klochkov A.N., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Fundamentals of electronic nanosystems - NanoПитер2010, Program and abstracts, место издания Ioffe Physico-Technical Institute St. Petersburg, тезисы, с. 52-55
  • • 2010 Взаимосвязь морфологии поверхности, электрофизических свойств и конструкции эпитаксиальных метаморфных гетероструктур с содержанием InAs в активном слое 75-100%
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кванин А.Л., Кульбачинский В.А., Пушкарев С.С., Пушкин М.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, VIII Курчатовская Молодежная научная Школа, 22-25 ноября 2010 г., Москва, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 136
  • • 2010 Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 18-21
  • • 2010 Электронный транспорт в модулированно-легированных квантовых ямах и слоях InAs на основе метаморфных наногетероструктур
    • Пушкарев С.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 26-29
  • • 2009 Влияние поверхностного потенциала на фотолюминесценцию квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Матвеев Ю.А., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Гладков В.П., Хабибуллин Р.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 215

• Руководство диссертациями

  • • 1989 Имитационная игра как средство формирования у оптантов умения строить личные профессиональные планы (ЛПП)
    • Кандидатская диссертация по специальности 19.00.03 - Психология труда, инженерная психология, эргономика (психол. науки)
    • Автор: Пряжников Н.С., д.п.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Научный руководитель: Климов Е.А.
    • Защищена в совете К 053. 05. 75 при МГУ имени М.В. Ломоносова, Факультет психологии
    • Организация, в которой выполнялась работа: факультет психологии МГУ имени М.В.Ломоносова
    • Ведущая организация: НИИ общей и педагогической психологии АПН СССР
    • Оппоненты: Филиппов А.В., Укке Ю.В.