II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 гсборник

Статьи, опубликованные в сборнике

---

• • 2000 Изменение инжекционной зависимости коэффициента передачи тока базы в кремниевых n-p-n и p-n-p структурах при радиационно-термической обработке
  • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
  • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 126-126
• • 2000 Исследование влияния быстрых электронов на область безопасной работы и динамические характеристики мощных кремниевых тиристоров
  • Рыбин С.В., Сурма А.М., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мусалитин А.М.
  • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 150-150
• • 2000 Исследование температурных зависимостей усилительных и импульсных характеристик кремниевых транзисторных структур при обработке быстрыми электронами и отжиге
  • Лагов П.Б., Ладыгин Е.А.
  • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 110-111
• • 2000 Стойкий к ионизирующему излучению полевой транзистор
  • Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
  • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 128-128
• • 2000 Тестовые МОП-транзисторы на КНИ подложках в условиях действия рентгеновского излучения и повышенной температуры
  • Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
  • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 130-130
• • 2000 Улучшение импульсно-частотных характеристик и повышение стойкости к излучению кремниевых p+-n структур методом радиационно-термической обработки
  • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
  • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 112-113
• • 2000 Улучшение параметров мощных кремниевых p+-n вентилей методом радиационной технологии
  • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Кокин С.А., Сурма А.М., Мусалитин А.М.
  • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 125-125
• • 2000 Формирование глубоких радиационных центров с высокими рекомбинационными характеристиками в областях кремния n-типа биполярных структур при облучении быстрыми электронами
  • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Горюнов Н.Н., Мусалитин А.М.
  • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 121-121
• • 2000 Эффективность «глубокого» облучения быстрыми электронами при создании кремниевых n-p-n и p-n-p структур с улучшенным сочетанием электрофизических характеристик
  • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мусалитин А.М.
  • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 127-127