ИСТИНА

Мурашев В.Н.

Соавторы: Лагов П.Б., Ladygin E.A., Сурма A.М., Kirilov V.N., Kulevoy T.V., Legotin S.A., Petrov A.S., Sidelev A.V., Stolbunov V.S., Волков Д.Л., Жалнин Б.В., Коновалов М.П., Леготин С.А. показать полностью..., Летовальцева М.Е., Мельников А.Л., Павлов Ю.С., Приходько П.С., Симакин В.В., Стребков Д.С., Сычевский В.А., Таперо К.И., Тюхов И.И., Удалов В.А., Щемеров И.В.

1 статья, 2 книги, 13 тезисов докладов, 1 патент, 1 учебный курс

IstinaResearcherID (IRID): 97057847

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 2022 Radiation effect on the polymer-based capacitive relative humidity sensors
    • Shchemerov I.V., Legotin S.A., Lagov P.B., Pavlov Y.S., Tapero K.I., Petrov A.S., Sidelev A.V., Stolbunov V.S., Kulevoy T.V., Letovaltseva M.E., Murashev V.N., Konovalov M.P., Kirilov V.N.
    • в журнале Nuclear Engineering and Technology, издательство Korean Nuclear Society (Korea, Republic of), том 54, № 8, с. 2871-2876 DOI

• Книги

  • • 2001 Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет : Учебно- методическое пособие
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н.
    • издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва) , 47 с.
  • • 2000 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов ИС и БИС: Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом: Учебно-методическое пособие
    • Ладыгин Е.А., Мурашев В.Н., Лагов П.Б.
    • издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва) , 56 с.

• Тезисы докладов

  • • 2010 Оптимизация структуры мультикаскадного СЭ на основе InGaP/InGaAs/Ge космического применения
    • Корольченко А.С., Мурашев, Леготин С.А., Жалнин Б.В., Светлов Р.Ю., Лагов П.Б.
    • в сборнике Микро- и нанотехнологии в электронике. Материалы III Международной научно-технической конференции, место издания КБУ Нальчик, тезисы, с. 1-1
  • 
    • 2007 Перспективы применения радиационно-стимулированной диффузии в технологии силовых приборов
    • Сурма А.М., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н.
    • в сборнике Четвертая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний 2007), место издания Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС), тезисы, с. 266-266
  • 
    • 2007 Разработка высоковольтных гибридных силовых приборов тиристорного типа, управляемых полевым транзистором
    • Сурма А.М., Мурашев В.Н., Лагов П.Б.
    • в сборнике Четвертая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний 2007), место издания Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС), тезисы, с. 267-267
  • 
    • 2007 Разработка детектора заряженных частиц и квантов на основе функционально интегрированных структур
    • Мурашев В.Н., Каширин В.А., Лагов П.Б., Волков Д.Л.
    • в сборнике Четвертая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний 2007), место издания Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС), тезисы, с. 246-246
  • 
    • 2007 Разработка конструкции быстродействующей функционально-интегрированной фоточувствительной Би-КМОП пикселы
    • Мурашев В.Н., Лагов П.Б., Мельников А.Л.
    • в сборнике Четвертая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний 2007), место издания Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС), тезисы, с. 247-247
  • • 2007 Солнечные элементы с вертикальными р-n-переходами – новые технологии
    • Стребков Д.С., Тюхов И.И., Симакин В.В., Лагов П.Б., Мурашев В.Н.
    • в сборнике Четвертая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний 2007), место издания Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС), тезисы, с. 261-262
  • • 2004 Перспективные приборы микроэлектроники на КНИ структурах
    • Мурашев В.Н., Приходько П.С., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Удалов В.А.
    • в сборнике Международная научно-техническая конференция «Моделирование электронных приборов и техпроцессов, обеспечение качества, надежности и радиационной стойкости приборов и аппаратуры», Севастополь, 6-14 сентября 2003, место издания МГАПИ Москва, тезисы, с. 1-11
  • 
    • 2002 Пиксельный инжекционный детектор релятивистких частиц
    • Мурашев В.Н., Сычевский В.А., Лагов П.Б., Орешин А.С.
    • в сборнике Труды Всероссийской конференции “Стойкость-2002” (г.Лыткарино, 4-6 июня 2002), серия РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ, место издания СПЭЛС Москва, том 5, тезисы, с. 264-264
  • • 2000 Воздействие рентгеновского излучения и повышенной температуры на МОП-транзисторы с КНИ структурой
    • Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Алексеев А.Е., Вавилов В.А.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000», серия РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ, место издания СПЭЛС Москва, том 3, тезисы, с. 5-5
  • • 2000 Полевой транзистор с повышенной стойкостью к ионизирующему гамма и рентгеновскому излучению
    • Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000», серия РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ, место издания СПЭЛС Москва, том 3, тезисы, с. 6-6
  • • 2000 Стойкий к ионизирующему излучению полевой транзистор
    • Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 128-128
  • • 2000 Тестовые МОП-транзисторы на КНИ подложках в условиях действия рентгеновского излучения и повышенной температуры
    • Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 130-130
  • • 2000 Экспериментальная оценка предельных возможностей радиационно-термического процесса для повышения радиационной стойкости и улучшения всего комплекса параметров кремниевых транзисторных структур
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000», серия РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ, место издания СПЭЛС Москва, том 3, тезисы, с. 2-2

• Патенты

  • • 2014 Способ формирования высококачественных МОП структур с поликремниевым затвором
    • Авторы: Дренин А.С., Роговский Е.С., Мурашев В.Н., Леготин С.А., Лагов П.Б., Ельников Д.С.
    • #RU 2 524 941 С2, 10 августа

• Авторство учебных курсов

  • • 2016 Основы радиационно-технологических процессов в электронике
    • Авторы: Лагов П.Б., Ладыгин Е.А., Мурашев В.Н.