ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Целью работы является исследование процессов рекристаллизации в тонких пленках платины для создания на их основе компонентов устройств микроэлектроники, функционирующих при высоких температурах. В качестве основы для создания планарных структур использованы пористые пленки анодного оксида алюминия (АОА) толщиной 30 мкм. Структурированные в виде двумерной спирали тонкие пленки платины, толщиной 100 нм, были получены методом магнетронного напыления с использованием технологии взрывной фотолитографии. Для ряда образцов на подложку АОА наносили подслой тантала (10 нм). В ходе работы проведено in situ исследование рекристаллизации тонких пленок с использованием в качестве аналитического сигнала сопротивления, несущего информацию о структурных изменениях, происходящих в пленке. Наличие подслоя тантала значительно замедляет рекристаллизацию платины, что связано с лучшей адгезией тонких пленок Ta/Pt к пористой оксидной подложке. По данным растровой электронной микроскопии, наблюдается существенное увеличение среднего размера кристаллитов в Pt и Ta/Pt пленках при температурах > 750 °C, что хорошо согласуется с оценками размера областей когерентного рассеяния из ширины дифракционных максимумов на рентгенограммах. Рекристаллизация тонких пленок приводит к появлению текстуры в направлении <111>, что подтверждается данными дифракции обратно рассеянных электронов и рентгенофазового анализа. По данным рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наблюдается диффузия подслоя Ta в структуру платины по мере увеличения температуры отжига вплоть до выхода на поверхность пленки после 12 часового отжига при 810 °С.