![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В работе осуществляется исследование влияния дефектов на электронные свой-ства графена. Основным подходом в исследованиях являются двумерные решеточ-ные модели. Графен имеет высокую подвижность носителей заряда, что делает егоочень перспективным для использования в различных областях нанотехнологий.Граничные эффекты в графене оказывают влияние на энергетический спектр. На-пример топология границ графеновых нанолент определяет нелинейный закон дис-персии и проводящие свойства.