Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
доклад на конференции
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Lunin R.A.
,
and Maltsev P.P.
,
Losev G.D.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
,
Yuzeeva N.A.
Международная Конференция (Симпозиум) :
22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology
Даты проведения конференции:
2014
Дата доклада:
23 июня 2014
Тип доклада:
не указан
Докладчик:
не указан
не указан
Kulbachinskii V.A.
Oveshnikov L.N.
Lunin R.A.
and Maltsev P.P.
Losev G.D.
Galiev G.B.
Klimov E.A.
Yuzeeva N.A.
Место проведения:
Saint Petersburg, June23-27
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич