Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
HAIT Journal of Science and Engineering
журнал
Индексирование: нет
Период активности журнала: не указан
Добавил в систему:
Хохлов Дмитрий Ремович
Статьи, опубликованные в журнале
2004
Fermi level pinning and long-term relaxation effects in doped IV-VI narrow-gap semiconductors
Volkov B.
,
Khokhlov D.
в журнале
HAIT Journal of Science and Engineering
, том 1, с. 266-273