ИСТИНА

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для синтеза массивов пространственно-упорядоченных наночастиц полупроводников. Сущность изобретения: способ получения полупроводниковой наноструктуры включает осаждение на пористой матрице первого полупроводникового материала, удаление пористой матрицы, осаждение второго полупроводникового материала на полученную структуру первого полупроводникового материала. Формирование пористой матрицы осуществляют путем анодного окисления до образования упорядоченно расположенной структуры нанопор. Первый и второй полупроводниковые материалы осаждают термическим испарением в вакууме. Осаждают соединения, входящие в изоэлектронный ряд германия: германий, или арсенид галлия, или селенид цинка, или бромид меди. Термическое испарение полупроводникового материала осуществляют в сверхвысоком вакууме. В качестве проводящей основы используют металл. Проводящую основу наносят путем магнетронного распыления. На сформированную полупроводниковую наноструктуру, с двух сторон, наносят проводящую основу в виде пленки. В качестве пористой матрицы используют пористую матрицу из оксида металла или неметалла. Техническим результатом изобретения является создание способа формирования нанокомпозитов и наноструктур на основе полупроводниковых материалов для перспективных источников света, элементов солнечных батарей и фотодетекторов со сверхвысоким (порядка 100 нм) пространственным разрешением. 11 з.п. ф-лы, 12 ил.