ИСТИНА

Кульчицкий Николай Александрович пользователь

МГУ имени М.В. Ломоносова, Химический факультет, Кафедра физической химии, ведущий научный сотрудник, с 1 сентября 1997

кандидат химических наук с 1976 года

доктор технических наук с 1995 года

доцент/с.н.с. по специальности № технология полупроводников и материалов электронной техники с 10 февраля 1988 г.

Соавторы: Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Несмелов С.Н., Воронин Г.Ф., GYULAI J., KHRYAPOV V.T., LOHNER T., REGEL L.L., Коханенко А.П., Лозовой К.А., BORI L., GIBER J., Gyuró I. показать полностью..., KOLTAI R., Lendvay E., POZSGAI I., RANKY M., SOMOGYI K., VARGA L., Абашев Ю.Г., Бунегина С.Л., Войцеховский А.С., Горшкова Т.И., Мельников А.А., Побойкина Н.В., Сатдаров В.Г.

87 статей, 12 тезисов докладов, 2 НИР, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 35, Scopus: 26

IstinaResearcherID (IRID): 7903192

Деятельность стиль:  обычный | ГОСТ | plain | abbrv | acm | alpha | amsalpha | amsplain | apalike | ieeetr | siam

---

• Статьи в журналах

  • • 2017 Aдмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21–0,23) в широком диапазоне температур
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Успехи прикладной физики, том 5, № 1, с. 55-63
  • • 2017 Арсенид галлия и приборы нано-, микро- и оптоэлектроники на его основе
    • Кульчицкий Н.А., Маянов Е.П., Наумов А.В.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 19, № 4, с. 207-214
  • • 2017 Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1 – xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77К
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, том 19, № 1, с. 3-20
  • • 2016 СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНОГО ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК В МДП-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0.21…0.23) С ПРИПОВЕРХНОСТНЫМИ ВАРИЗОННЫМИ СЛОЯМИ И БЕЗ ТАКИХ СЛОЕВ
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Наноматериалы и наноструктуры - XXI век, № 4, с. 39-47
  • 
    • 2015 Modern State of Markets of Seleniumand Selenium Based Compounds том 56, № 4,2015 с. 409-416
    • Kulchitskii N.A., Naumov A.V.
    • в журнале Russian Journal of Non-Ferrous Metals, том 56, № 4, с. 409-416
  • • 2015 Оптические и фотоэлектрические свойства германий-кремниевых наноструктур с квантовыми точками
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г.
    • в журнале наноинженерия, № 1, с. 22-29
  • • 2015 Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 3, с. 31-41
  • • 2015 Современное состояние рынков селена и соединений на его основе
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Известия вузов. Цветная металлургия, № 3, с. 40-48
  • • 2015 Современные оптоэлектронные приборы на основе селенида цинка
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Семенов В.С.
    • в журнале Фотоника, № 6, с. 90-99
  • • 2015 Электрофизические свойства германий-кремниевых наноструктур с квантовыми точками
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г.
    • в журнале наноинженерия, № 2, с. 18-24
  • • 2015 Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Сатдаров В.Г.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 2, с. 9-20
  • • 2014 Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале наноинженерия, № 4, с. 8-14
  • • 2014 Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
    • в журнале наноинженерия, № 6, с. 3-20
  • • 2014 Прозрачные проводящие тонкопленочные покрытия на основе оксидов индия и олова в современных электронных приборах
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале наноинженерия, № 11, с. 3-13
  • • 2014 Современная солнечная энергетика на основе тонкопленочных CIGS-элементов
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале наноинженерия, № 7, с. 10-17
  • • 2014 Современные методы создания структур с квантовыми точками Ge/Si
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 10, с. 18-26
  • • 2014 Современные оптоэлектронные приборы на основе селенида цинка
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале наноинженерия, № 11, с. 19-27
  • • 2014 Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 9, с. 20-31
  • • 2013 Длинноволновые ИК-фотоприемники и фотоприемные устройства на основе HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале наноинженерия, № 6, с. 21-31
  • • 2013 Микроболометрические детекторы ИК-диапазона на основе поликристаллического SiGe
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале наноинженерия, № 12, с. 27-35
  • • 2013 О некоторых особенностях современного состояния тонкопленочной солнечной энергетики
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В., Плеханов С.И., Каган М.Б.
    • в журнале Автономная энергетика, технический прогресс и экономика, М: Квант, № 31, с. 25-38
  • • 2013 Совpеменные тонкопленочные фотоэлектpические пpеобpазователи
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале наноинженерия, № 4, с. 14-24
  • • 2013 Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 9, с. 29-37
  • • 2013 Состояние и перспективы тонкопленочных технологий в солнечной энергетике
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Альтернативный киловатт, № 1, с. 1-8
  • • 2013 Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 8-14 мкм на твердых растворах теллуридов кадмия и ртути
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 10, с. 29-37
  • • 2012 Детектирование в терагерцовом диапазоне
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мальцев П.П., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 2, с. 28-35
  • • 2012 Детекторы терагерцового диапазона
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мальцев П.П., Несмелов С.Н.
    • в журнале наноинженерия, № 11, с. 7-17
  • • 2012 Кристаллы теллуридов кадмия и цинка и приборы на их основе
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Наумов А.В.
    • в журнале наноинженерия, № 9, с. 21-28
  • • 2012 Лавинные диоды и диоды с барьером Шоттки на основе кремния для фотоприемников видимого и ближнего инфракрасного диапазонов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Оборонная техника, № 4-5, с. 51-57
  • • 2012 Лавинные диоды, диоды с барьером Шоттки и приборы с зарядовой связью на основе кремния для фотоприемников и фотоприемных устройств видимого и ближнего инфракрасного диапазонов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 7, с. 29-37
  • 
    • 2012 Радиационные эффекты в HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), № 1, с. 82-89
  • • 2012 Типы детекторов терагерцового излучения
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мальцев П.П., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 3, с. 25-34
  • • 2012 Фотоприемники видимого и ультрафиолетового диапазонов на основе InGaN
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале Оборонная техника, № 4-5, с. 57-62
  • • 2012 Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на фотодиодах из кремния и твердых растворов InGaN
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 6, с. 30-40
  • • 2011 Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
    • Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 8, с. 27-35
  • • 2011 МЭМС детекторы инфракрасного диапазона
    • Войцеховский А.В., НесмеловС Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 7, с. 42-49
  • • 2011 Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 2, с. 41-47
  • • 2011 Светоизлучающие гетеpостpуктуpы AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
    • Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 5, с. 16-23
  • • 2011 Современное состояние производства CdTe, ZnTe, Cd1-хZnхTe
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 6, с. 9-16
  • 
    • 2010 State of Markets of Cadmium, Tellurium and Related Compounds
    • Kulchitskii N.A., Naumov A.V.
    • в журнале Russian Journal of Non-Ferrous Metals, том 51, № 6, с. 500-506
  • • 2010 Блок детектирования рентгеновского и гамма-излучения
    • Кульчицкий А.Н., Кульчицкий Н.А., Мальцев С.П., Мельников А.А., Мельников О.А.
    • в журнале Оборонная техника, № 12, с. 51-53
  • • 2010 Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 7, с. 32-37
  • • 2010 Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 9, с. 48-52
  • • 2010 Детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе кристаллов CdZnTe
    • Кульчицкий А.Н., Кульчицкий Н.А., Мальцев С.П., Мельников А.А., Мельников О.А.
    • в журнале Оборонная техника, № 12, с. 47-51
  • • 2010 Детекторы с квантовыми точками Ge/Si для инфракрасного диапазона
    • Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 4, с. 39-44
  • • 2010 О современном состоянии рынка селена и его соединений
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Цветная металлургия, № 4, с. 37-44
  • • 2010 Обзор мировых рынков кадмия, теллура и соединений на их основе
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Цветная металлургия, № 2, с. 31-44
  • • 2010 Радиационные эффекты в кристаллах теллуридов кадмия- ртути
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 6, с. 10-17
  • • 2010 Современное состояние производства CdTe, ZnTe, Cd1-xZnxTe,
    • Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
    • в журнале Материалы Электронной техники, № 2, с. 17-24
  • • 2010 Тенденции развития инфракрасных детекторов с квантовыми точками
    • Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в журнале Нано- и микросистемная техника, № 3, с. 44-50
  • 
    • 1985 The growth of GaSb under microgravity conditions
    • Lendvay E., Gyuró I., Gyulai J., Lohner T., Hryapov V.T., Kulchitsky N.A., Regel L.L.
    • в журнале Journal of Crystal Growth, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 71, № 3, с. 538-550
  • 
    • 1984 CRYSTAL-GROWTH OF GASB UNDER MICROGRAVITY CONDITIONS
    • GYURO I., LENDVAY E., GOROG T., HARSY M., POZSGAI I., SOMOGYI K., KOLTAI R., LOHNER T., GYULAI J., RANKY M., VARGA L., GIBER J., BORI L., REGEL L.L., KULCHITSKIY N.A., KHRYAPOV V.T.
    • в журнале Acta Astronautica, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 11, № 7-8, с. 361-368
  • 
    • 1977 ABSORPTION OF CESIUM AND RUBIDIUM VAPORS BY METAL-SURFACES IN VACUUM 1977, v.51, #1, p.147-150
    • VORONIN G.F., KULCHITSKII N.A., ABASHEV Y.G.
    • в журнале ZHURNAL FIZICHESKOI KHIMII,, том 51, № 1, с. 147-151
  • 
    • 1977 Directivity diagrams of molecular-beams - molecular effusion of cesium in presence of chemical-reaction on channel walls
    • Voronin G.F., Kulchitskii N.A.
    • в журнале Zhurnal Fizicheskoi Khimii, том 51, № 12, с. 3089-3092
  • 
    • 1977 Directivity diagrams of molecular-beams .4. experimental results for rectangular effusion channels
    • Kulchitskii N.A., Voronin G.F.
    • в журнале Zhurnal Fizicheskoi Khimii, том 51, № 12, с. 3072-3075
  • 
    • 1974 MEASUREMENT OF SUPER-LOW VAPOR-PRESSURES OF ALKALI ELEMENTS DURING STUDY OF THERMODYNAMIC PROPERTIES OF ALLOYS
    • VORONIN GF, GORSHKOVA TI, KULCHITSKI NA, MUKHAMEDZHANOVA NM
    • в журнале Zhurnal Fizicheskoi Khimii, том 48, № 12, с. 2944-2946

• Статьи в сборниках

  • • 2017 Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МВЕ HgCdTe
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в сборнике Сборник научных трудов VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике,, место издания НИЯУ МИФИ М, с. 380-381
  • • 2017 МДП-структуры на основе варизонного МВЕ HgCdTe для инфракрасных детекторов
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М.
    • в сборнике Сборник научных трудов VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике, место издания НИЯУ МИФИ М.,, с. 378-379
  • • 2016 Инфракрасные МЭМС микроболометры
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания АО «НПО «Орион» Москва, с. 426-430
  • • 2016 Инфракрасные детекторы на основе МЭМС микрокантилеверов
    • Войцеховский А.С., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания АО «НПО «Орион» Москва, с. 422-426
  • • 2015 Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
    • в сборнике «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы X Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова, место издания Новелла Москва, с. 243-248
  • • 2015 Анализ рынка прозрачных проводящих тонкопленочных покрытий на основе оксидов индия и олова
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Наумов А.В.
    • в сборнике «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы X Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова, место издания Новелла Москва, с. 253-258
  • • 2015 Прозрачные проводящие покрытия в электронике
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Наумов А.В.
    • в сборнике «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы X Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова, место издания Новелла Москва, с. 248-252
  • • 2015 Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
    • в сборнике «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы X Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова, место издания Новелла Москва, с. 238-242
  • • 2014 Полупроводниковые неохлаждаемые детекторы ионизирующих излучений на основе кристаллов твердых растворов теллуридов цинка и кадмия
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения,, место издания ОАО "НПО "ОРИОН" Москва, с. 584-587
  • • 2014 Современные оптоэлектронные приборы на основе селенида цинка
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения,, место издания ОАО "НПО "ОРИОН" Москва, с. 348-351
  • • 2013 Modern devices on cadmium and zinc tellurides
    • Kulchitskiy N.A., Melnikov A.A.
    • в сборнике Functional materials 2013. Abstracts of International Conference «Functional materials ICFM-2013", место издания Simferopol, с. 354-354
  • • 2013 Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК фотодетекторов /
    • Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC – 2013», Под ред. академика РАН А.С. Сигова, место издания Энергоатомиздат Москва, том 1, с. 222-227
  • • 2013 Внутренняя квантовая эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Материалы VIII Международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», место издания НОВЕЛЛА Москва, с. 185-188
  • • 2013 Детекторы ИК диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., НесмеловС Н.
    • в сборнике Материалы VIII Международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», место издания НОВЕЛЛА Москва, с. 184-187
  • • 2013 Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Материалы VIII Международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», место издания НОВЕЛЛА Москва, с. 188-196
  • • 2013 Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si //
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC – 2013», Под ред. академика РАН А.С. Сигова, место издания Энергоатомиздат Москва, том 1, с. 204-211
  • • 2013 Микроболометрические детекторы ИК диапазона на основе поликристаллического SiGe Под ред
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., НесмеловС Н.
    • в сборнике Материалы VIII Международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», место издания НОВЕЛЛА Москва, с. 188-191
  • • 2013 Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC – 2013», Под ред. академика РАН А.С. Сигова, место издания Энергоатомиздат Москва, том 1, с. 212-221
  • • 2012 Блок детектирования рентгеновского и гамма – излучения на основе кристаллов CdZnTe
    • Кульчицкий А.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мельников О.А.
    • в сборнике Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания НПО "ОРИОН" Москва, с. 263-265
  • • 2012 Детекторы рентгеновского и гамма – излучения на основе кристаллов CdZnTe
    • Кульчицкий А.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мельников О.А.
    • в сборнике Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания НПО "ОРИОН" Москва, с. 261-263
  • • 2012 Детекторы терагерцового излучения
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мальцев П.П., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники, место издания МГТУ им. Н.Э.Баумана Москва, с. 71-81
  • • 2012 Кристаллы теллуридов кадмия и цинка и приборы на их основе
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Наумов А.В.
    • в сборнике Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники) / Материалы XVIII Международной конференции, место издания МГТУ им. Н.Э.Баумана Москва, с. 56-64
  • • 2012 Особенности детектирования в терагерцовом диапазоне
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мальцев П.П., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники) / Материалы XVIII Международной конференции, место издания МГТУ им. Н.Э.Баумана Москва, с. 82-90
  • • 2012 Современное состояние производства CdTe, ZnTe, Cd1-хZnхTe и приборов на их основе. Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Бунегина С.Л., Крапухин Д.В., Побойкина Н.В.
    • в сборнике Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания НПО "ОРИОН" Москва, с. 180-182
  • • 2011 Анализ параметров атомных и молекулярных пучков в установках молекулярно- пучковой эпитаксии
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Материалы XVIII научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника", место издания Крым, Судак, с. 285-287
  • • 2011 Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК фотодетекторов
    • Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно – технической конференции «INTERMATIC –2011», место издания МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, Москва, том 1, с. 143-148
  • • 2011 Инфракрасные детекторы на основе микроэлектро-механических систем
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники). Материалы XVII Международной конференции, место издания МГТУ им. Н.Э.Баумана, Москва, с. 86-94
  • • 2011 Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)/ Материалы XVII Международной конференции,, место издания МГТУ им. Н.Э.Баумана, Москва, с. 95-103
  • • 2011 Определение интенсивности атомных и молекулярных пучков на основе малоугового рассеяния электронов
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Материалы XVIII научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника", место издания Крым, Судак, с. 281-284
  • • 2010 Влияние облучения на характеристики HgCdTe фотодетекторов
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике XVI Международная научно-техническая конференция «Высокие технологии в промышленности России. Материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники»,, место издания ЦНИТИ «Техномаш» Москва, с. 191-196
  • • 2010 Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике XVI Международная научно-техническая конференция «Высокие технологии в промышленности России. Материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники»,, место издания ЦНИТИ «Техномаш» Москва, с. 185-190

• Тезисы докладов

  • • 2013 Uncooled X-ray and gamma radiation detectors on CdZnTe crystals
    • Kulchitskiy A.N., Kulchitskiy N.A., Melnikov A.A., Melnikov O.A.
    • в сборнике Functional materials 2013. Abstracts of International Conference «Functional materials ICFM-2013", место издания Simferopol, тезисы, с. 355-355
  • • 2013 Кристаллы Cd1-xZnxTe для неохлаждаемых ядерных детекторов
    • Кульчицкий А.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов международного симпозиума «Физика кристаллов 2013» и Пятой международной конференции «Кристаллофизика 21-го века, место издания Москва, тезисы, с. 135-135
  • • 2013 Современные приборы на основе теллуридов кадмия и цинка. Тезисы докладов международного симпозиума «Физика кристаллов 2013» и Пятой международной конференции «Кристаллофизика 21-го века
    • Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов международного симпозиума «Физика кристаллов 2013» и Пятой международной конференции «Кристаллофизика 21-го века, место издания Москва, тезисы, с. 136-136
  • • 2012 Моделирование процессов выращивания из паровой фазы монокристаллов твердых растворов Cd 1-xZnxTe методом физического транспорта
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н.
    • в сборнике Труды VII Международная научно-технической конференции "Вакуумная техника, материалы и технология", место издания Москва, тезисы, с. 182-187
  • • 2012 Моделирование процессов выращивания из паровой фазы монокристаллов твердых растворов Cd 1-xZnxTe методом химического переноса
    • Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н.
    • в сборнике Труды VII Международная научно-технической конференции "Вакуумная техника, материалы и технология", место издания Москва, тезисы, с. 178-182
  • • 2011 Current state of the production CdTe, ZnTe, CdZnTe and devices from these materials
    • Kulchitsky N.A., Meinikov A.A.
    • в сборнике Abstracts of International Conference “Functional Materials” ICFM-2011, место издания Симферополь, тезисы, с. 358-358
  • • 2011 Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов 2-ой международной научно-технической конференции «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике, место издания Зеленоград, тезисы, с. 190
  • • 2011 Внутренняя квантовая эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
    • Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов 2-ой международной научно-технической конференции «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике, место издания Зеленоград, тезисы, с. 189
  • • 2010 Неохлаждаемые детекторы ионизирующих излучений на монокристаллах Cd1-xZnxTe
    • Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н., Мельников А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов XXI Международной научно-техническая конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания Москва, тезисы, с. 164
  • • 2010 Перспективы рынка германия
    • Витков В.С., Кульчицкий Н.А.
    • в сборнике Тезисы докладов XXI Международной научно-техническая конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания Москва, тезисы, с. 165
  • • 2010 Поликристаллический CVD ZnSe для ИК оптики
    • Витков В.С., Кульчицкий Н.А., Сокольский В.А.
    • в сборнике Тезисы докладов XXI Международной научно-техническая конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, место издания Москва, тезисы, с. 166
  • • 2010 Радиационные эффекты в КРТ
    • Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А.
    • в сборнике Тезисы докладов I Международной научно-практической конференции по электромагнитным методам исследования «Геобайкал - 2010», место издания Иркутск, тезисы, с. 189

• НИРы

  • • 1 января 2016 - 31 декабря 2023 Химическая термодинамика
    • Кафедра физической химии
    • Руководители: Воронин Г.Ф., Успенская И.А. Ответственные исполнители: Куценок И.Б., Успенская И.А. Участники НИР: Авраменко Н.В., Бабкина Т.С., Белов Г.В., Белова Е.В., Богданов В.П., Борщевский А.Я., Броцман В.А., Быков М.А., Васильев В.П., Восков А.Л., Высочанская О.Н., Газизов Р.Р., Горбачев А.В., Горюнков А.А., Дзубан А.В., Дмитриева В.А., Дорожкин Е.И., Дружинина А.И., Игнатьева Д.В., Иоутси В.А., Иоффе И.Н., Коваленко Н.А., Козин Н.Ю., Константинова Н.М., Коробов М.В., Косая М.П., Косова Д.А., Кудрявцев Д.Н., Кульчицкий Н.А., Курдакова С.В., Куценок И.Б., Луконина Н.С., Лукьянова В.А., Лысенко В.А., Мазалева О.Н., Максимов А.И., Максимов А.Л., Малютин А.С., Мамонтов М.Н., Марков В.Ю., Моисеев А.Е., Монаенкова А.С., Николаева Л.С., Пащенко Л.Л., Перевощиков А.В., Пименова С.М., Пыхова А.Д., Романова Н.А., Рыбальченко А.В., Семивражская О.О., Сидоров Л.Н., Скокан Е.В., Согомонян К.А., Соловьева В.А., Сударькова С.М., Тамм Н.Б., Тифлова Л.А., Троянов С.И., Хаврель П.А., Человская Н.В., Чилингаров Н.С.
  • • 1 января 2011 - 31 декабря 2015 Химическая термодинамика
    • Кафедра физической химии
    • Руководитель: Воронин Г.Ф. Участники НИР: Авраменко Н.В., Апенова М.Г., Бабкина Т.С., Белов Г.В., Борщевский А.Я., Броцман В.А., Быков М.А., Варущенко Р.М., Восков А.Л., Горюнков А.А., Дзубан А.В., Дорожкин Е.И., Дружинина А.И., Игнатьева Д.В., Иоутси В.А., Иоффе И.Н., Коваленко Н.А., Коробов М.В., Кульчицкий Н.А., Курдакова С.В., Куценок И.Б., Луконина Н.С., Лукьянова В.А., Майорова А.Ф., Мамонтов М.Н., Марков В.Ю., Минаева И.И., Монаенкова А.С., Мудрецова С.Н., Николаева Л.С., Пащенко Л.Л., Пименова С.М., Романова Н.А., Рыбальченко А.В., Семивражская О.О., Сидоров Л.Н., Скокан Е.В., Тамм Н.Б., Тифлова Л.А., Троянов С.И., Успенская И.А., Хаврель П.А., Чилингаров Н.С.

• Диссертация

  • • 1976 Исследование процессов формирования атомных пучков цкзия и их взаимодействие с металлическими поверхностями в вакууме
    • Кандидатская диссертация по специальности 02.00.04 - Физическая химия (хим. науки)
    • Автор: Кульчицкий Николай Александрович, д.т.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Научный руководитель: Воронин Г.Ф., д.х.н., проф.
    • Защищена в совете К-13/57 при Совет №3 по химическим наукам при МГУ им. М.В.Ломоносова

---