Structural Anisotropy of Amorphous Silicon Films Modified by Femtosecond Laser Pulsesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 августа 2018 г.
Аннотация:Показано, что ориентация поверхностного рельефа в виде одномерных решеток с периодом
1.20 ± 0.02 μm, формируемого при обработке пленок аморфного гидрогенизированного кремния фемтосе-
кундными лазерными импульсами (1.25 μm) с плотностью энергии 0.15 J/cm2, определяется направлением
вектора поляризации использованного излучения и совокупной дозой экспозиции. В облученных областях
пленок зарегистрировано присутствие нанокристаллической фазы кремния, объемная доля которой (в зависи-
мости от условий обработки) составляет от 15 до 67% согласно результатам анализа спектров комбинацион-
ного рассеяния света. Наблюдаемые процессы микро- и наноструктурирования обусловлены соответственно
возбуждением поверхностных плазмон-поляритонов и нанокристаллизацией в приповерхностной области в
поле мощных фемтосекундных лазерных импульсов. Кроме того, обнаружено формирование полиморфных
модификаций кремния Si-III и Si-XII при фемтосекундной лазерной обработке с числом импульсов излучения
более 500, а также зарегистрирована анизотропия сигнала комбинационного рассеяния света для данных
полиморфных модификаций.