|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьеромтезисы доклада
- Авторы: Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю.
- Сборник: Сборник трудов 2-ой Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ – электроники «Мокеровские чтения», Москва, МИФИ, Россия, 2012
- Тезисы
- Год издания: 2012
- Издательство: НИЯУ МИФИ
- Местоположение издательства: Москва
- Добавил в систему: Боков Павел Юрьевич