Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Electronic band structure and semimetal–semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 января 2021 г.
Авторы:
Lapushkin I.
,
Zakharova A.
,
Yen S.T.
,
Chao K.A.
Сборник:
Proceedings of the International conference “Micro- and nanoelectronics-2003”
Тезисы
Год издания:
2003
Место издания:
Moscow-Zvenigorod
Первая страница:
P2-104
Добавил в систему:
Захарова Анна Александровна