Electronic band structure and semimetal–semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wellsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 июля 2020 г.
Аннотация:С использованием самосогласованного решения для уравнелий Шредингера в многозонной модели и Пуассона, получены фазовые переходы Металл-полупроводник при изменении толщин слоев и при изменении внешнего приложенного напряжения.
We investigate the subband dispersions in the InAs/GaSb quantum wells using Burt's envelope function theory and the scattering matrix method. The potential and carrier distributions as well as the level positions are derived by means of self-consistently solving the Schroedinger and the Poisson equations. The semimetal-semiconductor phase transitions have been obtained with the GaSb layer thickness decreasing and with increase of the bias voltage applied across the structure.
This work was financially supported by the Russian Foundation for Basic Research under grant No. 03-02-16788-а А. А. Захаровой (руководитель).