Laser generation in broken-gap heterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 сентября 2020 г.
Аннотация:We investigate the effects of population inversion and laser generation in interesting and important quantum well laser structures made from InAs, AlSb, and GaSb. These broken-gap heterostructures, where the InAs conduction band
overlaps with the GaSb valence band, are promising for fabrication different devices.
This work was supported by RFBR under grant N 07-02-00680-a (А. А. Захарова руководитель).