|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Self–consistent I—V characteristic calculation of real RTS with type II heterojunctionsтезисы доклада
- Авторы: Gergel V., Lapushkin I., Zakharova A.
- Сборник: Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology
- Тезисы
- Год издания: 1995
- Место издания: Ioffe St.Petersburg, Russia, 26-30 June
- Первая страница: 253
- Последняя страница: 255
- Аннотация: Исследованы самосогласованно воль-амперные характеристики ТРС с гетеропереходами второго типа.
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна