|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Admittance of MIS Structures Based on MBE Hg 1– xCdxTe (x = 0.21–0.23) in a Wide Temperature Rangeстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 1 сентября 2021 г.
- Авторы: Voitsekhovskii A.V., Kulchitsky N.A., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M.
- Журнал: Journal of Communications Technology and Electronics
- Том: 63
- Номер: 9
- Год издания: 2018
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 1112
- Последняя страница: 1118
- Добавил в систему: Кульчицкий Николай Александрович