Аннотация:Для интерпретации процесса зарядки монокристаллического сапфира и влияния на этот процессрадиационно-стимулированных дефектов проведены фотолюминесцентные исследования исходного монокристаллического сапфира, а также сапфира, предварительно облученного ионами и электронами низкихэнергий. Спектры фотолюминесценции получены с использованием конфокального микроскопа с длинойволны возбуждения 445 nm и неконфокальным методом на длине волны 355 nm. Полученные результаты длявсех образцов показали линии, связанные с собственными дефектами, а также c примесными дефектами.Предварительное ионное облучение приводит к разупорядочению приповерхностной области образца, чтопроявляется в значительном увеличении интенсивности фотолюминесценции. Предварительное электронноеоблучение может приводить к изменению зарядового состояния изначально существующих в кристалледефектов.