|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Особенности взаимодействия ионов инертных газов низкой энергии с метильными группами на поверхности low-k диэлектриковтезисы доклада
- Авторы: Сычева А.А., Соловых А.А., Воронина Е.Н.
- Сборник: 51-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
- Тезисы
- Год издания: 2022
- Первая страница: 156
- Последняя страница: 156
- Аннотация: В настоящее время для изоляции медных проводящих элементов современных интегральных схем активно применяются нанопористые low-k диэлектрики на основе аморфных SiOx матриц, поверхность которых покрыта CH3-группами. Одним из способов предотвращения диффузии атомов медивглубь диэлектрика является нанесение ультратонких барьерных слоев из тугоплавких металлов на поверхность low-k пленки, с которой предварительноудалены CH3-группы. В данной работе с использованием метода теории функционала плотности показано, что подобную обработку low-k диэлектриков можно осуществлять ионами инертных газов низкой (до 30 эВ) энергии. Исследованы особенности механизма удаления CH3-групп нейтральными атомами и положительными ионами He, Ne, Ar, Xe; на основании полученных расчетных данных сделана оценка пороговой энергии исследуемого процесса.
- Добавил в систему: Сычева Анастасия Александровна