|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Modeling of the dielectric state in PbSnSe and PbSnTe nanolayers with high concentration of nonstoichiometric defectsтезисы доклада
- Авторы: Pashaev A.M., Davarashvili O.I., Enukashvili M.I., Akhvlediani Z.G., Bychkova L.P., Zlomanov V.P.
- Сборник: Book of Abstracts of the 17th International Conference on Radiation Effects in Insulators
- Тезисы
- Год издания: 2013
- Место издания: Helsinki
- Первая страница: PB-16
- Последняя страница: PB-16
- Добавил в систему: Зломанов Владимир Павлович