Аннотация:Проведено численное двумерное моделирование плазмы разряда постоянного тока в CH4/H2 смеси в режиме осаждения наноструктурированных углеродных пленок с явным учетом релаксации катодного пучка электронов. Рассчитаны распределения концентраций компонент, температуры газа, и рассмотрены ключевые процессы плазмохимической кинетики, определяющие, в том числе распределение метильных радикалов над подложкой, концентрация которых на несколько порядков превышала концентрации других углеводородных радикалов, что указывает на их доминирующую роль в росте наноструктурных углеродных пленок. Верификация модели была проведена на основе сравнения экспериментальных оптических эмиссионных профилей излучающих компонент H(n=3), C2*, CH*, CN*, величины разрядного напряжения и теплоотвода с рассчитанными концентрациями возбужденных компонент, напряжением и тепловыми потоками из плазмы на электроды и стенки реактора, соответственно. При этом была выявлена важная роль процессов диссоциативного возбуждения молекул H2, C2H2, CH4, HCN и процессов ион-электронной рекомбинации в генерации излучающих компонент, в первую очередь, в холодных приэлектродных областях.