Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, возможность загрузки и скачивания файлов временно недоступна.
скрыть
Kidalov V.V.
Соавторы:
Dyadenchuk A.F.
,
Grashchenko A.S.
,
Osipov A.V.
,
Redkov A.V.
,
Sharkov M.D.
,
Soshnikov I.P.
,
Бойко М.Е.
,
Кукушкин С.А.
1 статья
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 7
IstinaResearcherID (IRID): 114530765
Деятельность
Статьи в журналах
2018
Properties of SiC Films Obtained by the Method of Substitution of Atoms on Porous Silicon
Kidalov V.V.
,
Kukushkin S.A.
,
Osipov A.V.
,
Redkov A.V.
,
Grashchenko A.S.
,
Soshnikov I.P.
,
Boiko M.E.
,
Sharkov M.D.
,
Dyadenchuk A.F.
в журнале
ECS Journal of Solid State Science and Technology
, издательство
Electrochemical Society, Inc.
(United States)
, том 7, № 4, с. 158-160
DOI