ИСТИНА

Негребецкая Н.Н.

Соавторы: Эльтеков В.А., Юрасова В.Е., Buzhinskij O.I., Opimach I.V., Colligon J.S., Promokhov A., Shkarban I.I., Vasichkina N.G., Коллигон Д.С.

13 статей, 5 докладов на конференциях, 5 тезисов докладов, 1 научный отчёт, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 26, Scopus: 12

IstinaResearcherID (IRID): 2501576

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 1996 Sputtering of boron nitride single crystals
    • Mosunov A.S., Negrebetskaya N.N., Promokhov A.A., Eltekov V.A., Yurasova V.E.
    • в журнале IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA, том 60, № 7, с. 128-138
  • 
    • 1996 Распыление монокристаллов нитрида бора
    • Мосунов А.С., Негребецкая Н.Н., Промохов А.А., Эльтеков В.А., Юрасова В.Е.
    • в журнале Известия Российской академии наук. Серия физическая, том 60, № 7, с. 128-138
  • • 1995 Forward sputtering of boron nitride single crystals
    • Eltekov V.A., Negrebetskaya N.N.
    • в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 50, с. 72-77
  • 
    • 1995 Sputtering of graphite-like BN crystals
    • Eltekov V.A., Elovikov S.S., Colligon J.S., Ntgrebetskaya N.N., Promokhov A.A., Yurasova V.E.
    • в журнале Radiation Effects and Defects in Solids, издательство Taylor & Francis (United Kingdom), том 133, с. 107-120 DOI
  • • 1995 Распыление на прострел монокристалла нитрида бора
    • Эльтеков В.А., Негребецкая Н.Н.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 36, № 4, с. 82-87
  • • 1994 Computer simulation of sputtering of (111) face of crystalline Si thin film
    • Eltekov V.A., Yurasova V.E., Negrebetskaya N.N., Vasichkina N.G.
    • в журнале Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, № 2, с. 46-54
  • 
    • 1994 The sputtering of different modifications of boron nitride under ion and electron irradiation
    • Elovikov S.S., Eltekov V.A., Negrebetskaya N.N., Sushkova J.V., Yurasova V.E., Shkarban I.I., Buzhinskij O.I., Opimach I.V.
    • в журнале Journal of Nuclear Materials, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 212, с. 1335-1338 DOI
  • • 1994 Компьютерное моделирование процессов распыления граней (111) тонкой пленки монокристалла кремния
    • Эльтеков В.А., Юрасова В.Е., Негребецкая Н.Н., Васичкина Н.Г.
    • в журнале Поверхность. Физика, химия, механика, № 2, с. 46-54
  • • 1993 Computer Simulation of Transmission of Low-Energy Argon Ions through a Single-Crystal Silicon Film
    • Eltekov V.A., Negrebetskaya N.N.
    • в журнале Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, издательство Allerton Press Inc. (United States), том 57, № 8, с. 1468-1474
  • 
    • 1993 Моделирование процесса прохождения низкоэнергетичных ионов аргона через монокристаллическую пленку кремния
    • Эльтеков В.А., Негребецкая Н.Н.
    • в журнале Известия Российской академии наук. Серия физическая, том 57, № 8, с. 181-187

• Статьи в сборниках

  • • 1995 Calculation of the energy deposition value for argon ion beam bombarded silicon on the basis of the plural interaction model
    • Eltekov V.A., Negrebetskaya N.N.
    • в сборнике Ion Beam Modification of Materials. Proceedings of the Ninth International Conference, место издания ELSEVIER Amsterdam - Lausanne -New York - Oxford - Shannon - Tokyo, с. 681-685
  • • 1995 Моделирование распыления напрострел пленок нитрида бора
    • Негребецкая Н.Н., Эльтеков В.А., Коллигон Д.С.
    • в сборнике Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы XII международной конференции “ВИП - 95”, место издания Москва, том 1, с. 34-36
  • • 1993 Исследование распыления грани (111) тонкой пленки монокристалла кремния методом машинного моделирования
    • Негребецкая Н.Н., Эльтеков В.А., Юрасова В.Е.
    • в сборнике Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы ХI конференции. Звенигород, место издания Московский инженерно-физический институт Москва, том 1, с. 125-127

• Доклады на конференциях

  • • 1995 Calculation of the energy deposition value for the argon ion beam bombarded silicon on the base of plural interaction model
    • Авторы: Эльтеков В.А., Негребецкая Н.Н.
    • Ninth International Conference on Ion Beam Modification of Materials, Canberra, Australia, Австралия, 1995
  • • 1994 Расчет распыления монокристалла нитрида бора гексагональной и ромбоэдрической модификаций
    • Авторы: Негребецкая Н.Н., Юрасова В.Е., Эльтеков В.А.
    • 22-я Конференция по эмиссионной электронике, , Москва, Россия, 1994
  • • 1993 The sputtering of boron nitride different modifications under ion and electron bombardment
    • Авторы: Eltekov V.A., Negrebetskaya N.N., Sushkova Yu, Elovikov S.S., Shkarban I., Buzhinsky O., Opimach I., Yurasova V.E.
    • The 6-th International Conference on Fusion Reactor Materials, Stressor, Italy, Италия, 1993
  • • 1993 Computer simulation of boron nitride single crystal sputtering for hexagonal and rhombohedron modifications
    • Авторы: Eltekov V.A., Negrebetskaya N.N., Yurasova V.E.
    • 15-th International Conference on Atomic Collisions in Solids, London, Canada, Канада, 1993
  • • 1993 Исследование распыления грани (111) тонкой пленки монокристалла кремния методом машинного моделирования
    • Авторы: Негребецкая Н.Н., Юрасова В.Е., Эльтеков В.А.
    • 11-я Международная конференция "Взаимодействие ионов с поверхностью", Звенигород, 1993

• Тезисы докладов

  • • 1995 Calculation of the energy deposition value for the argon ion beam bombarded silicon on the base of plural interaction model
    • Eltekov V.A., Negrebetskaya N.N.
    • в сборнике Ninth International Conference on Ion Beam Modification of Materials, издательство Australian National University (Australia), том 4, тезисы, с. 66-66
  • • 1994 Расчет распыления монокристалла нитрида бора гексагональной и ромбоэдрической модификаций
    • Негребецкая Н.Н., Эльтеков В.А., Юрасова В.Е.
    • в сборнике XXII Конференция по эмиссионной электронике, место издания Российская Академия Наук Москва, том 3, тезисы, с. 87-88
  • • 1993 Computer simulation of boron nitride Single crystal sputtering for hexagonal and rhombohedron modifications
    • Eltekov V.A., Negrebetskaya N.N., Yurasova V.E.
    • в сборнике 15th International Conference on Atomic Collisions in Solids. Book of Abstracts, серия B, место издания The University of Weatern Ontario, London, Ontario, Canada, тезисы, с. 45-45
  • • 1993 Radiation strength of different modifications of boron nitride under electron and ion irradiation
    • Elovikov S.S., Negrebetskaya N.N., Sushkova Yu V., Eltekov V.A., Yurasova V.E., Buzhinskij O.I., Opimach I.V.
    • в сборнике Sixth International Conference on Fusion Reactor Materials. Abstracts, серия C, место издания Joint Research Centre. Institute for Advanced Materials Stresa, Italy, тезисы, с. 82-82
  • • 1993 Исследование процесса прохождения низкоэнергетичных ионов через монокристаллическую пленку кремния
    • Эльтеков В.А., Негребецкая Н.Н.
    • в сборнике Тезисы докладов VIII Симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, место издания Академия наук Черноголовка, тезисы, с. 98-98

• Отчеты

  • • 1994 Компьютерное моделирование взаимодействия электронных, фотонных и ионных пучков с конденсированным веществом
    • Авторы: Эльтеков В.А., Корсакова О.С., Негребецкая Н.Н., Самойлов В.Н.
    • # РФФИ: 94-01-00369-а

• Диссертация

  • • 1994 Численное моделирование процессов при взаимодействии ионов с тонкими монокристаллическими пленками
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.04 - Физическая электроника (физ.-мат. науки)
    • Автор: Негребецкая Н.Н.
    • Научные руководители: Юрасова В.Е., д.ф.-м.н., МГУ имени М.В. Ломоносова, Эльтеков В.А., д.ф.-м.н.
    • Защищена в совете К 053.05.22 при физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова