ИСТИНА

Roenkov A.D.

Соавторы: Mokhov E.N., Obyden S.K., Baranov P.G., Hoffman D.H., Ivanov A.I., Mokhov E.N., Saparin G.V., Shishkin E.B., Vodakov Y.A., Бойко М.Е., Иванников П.В., Сапарин Г.В., Чукичев М.В.

3 статьи

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 50, Scopus: 51

IstinaResearcherID (IRID): 5291558

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 1998 High rate GaN epitaxial growth by sublimation sandwich method
    • Vodakov Yu A., Mokhov E.N., Roenkov A.D., Boiko M.E., Baranov P.G.
    • в журнале Journal of Crystal Growth, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 183, с. 10-14
  • 
    • 1997 Three-Dimensional studies of SiC Polytype Transformations
    • Saparin G.V., Obyden S.K., Ivannikov P.V., Shishkin E.B., Mokhov E.N., Roenkov A.D., Hoffman D.H.
    • в журнале Scanning, издательство FAMS Inc. (United States), том 19, № 4, с. 269-274
  • 
    • 1991 Space heterogeneity of luminescent centers in SiC –epitaxial layers detected by the color CL-SEM
    • Saparin G.V., Mokhov E.N., Obyden S.K., Chukichev M.V., Roenkov A.D., Ivanov A.I.
    • в журнале Scanning, издательство FAMS Inc. (United States), том 14, № 4, с. 204-211