Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Aoulaiche M.
Aoulaiche M.
IstinaResearcherID (IRID): 599005574
Статьи в журналах Статьи в сборниках
–

Статьи в журналах

    • 2016 Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX
    • Aoulaiche M., Simoen E., Caillat C., Witters L., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Martino J., Claeys C., Fazan P., Jurczak M.
    • в журнале Solid-State Electronics, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 117, с. 123-129 DOI

Статьи в сборниках

    • 2010 Reliability study in capacitor less 1T-RAM cells on SOI
    • Aoulaiche M., Collaert N., Simoen E., Mercha A., De Wachter B., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Boedt F., Delprat D., Jurczak M., Altimime L.
    • в сборнике 2010 IEEE International SOI Conference (SOI), место издания IEEE DOI
    • 2010 A novel low-voltage biasing scheme for double gate FBC achieving 5s retention and 10<sup>16</sup> endurance at 85°C
    • Lu Z., Collaert N., Aoulaiche M., De Wachter B., De Keersgieter A., Schwarzenbach W., Bonnin O., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Mazure C., Altimime L., Jurczak M.
    • в сборнике 2010 International Electron Devices Meeting, место издания IEEE DOI
    • 2009 Analysis of sense margin and reliability of 1T-DRAM fabricated on thin-film UTBOX substrates
    • Collaert N., Aoulaiche M., Rakowski M., De Wachter B., Bourdelle K., Nguyen B.Y., Boedta F., Delprat D., Jurczak M.
    • в сборнике 2009 IEEE International SOI Conference, место издания IEEE DOI

ИСТИНА ИНХС РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь